[发明专利]用于MOSFET噪声测试的半导体测试结构有效
| 申请号： | 201210406422.X | 申请日： | 2012-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN103779329B | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 何小东 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张懿;王忠忠 |
| 地址： | 江苏省无锡市国家*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 mosfet 噪声 测试 半导体 结构 | ||
1.一种用于MOSFET噪声测试的半导体测试结构，其特征在于，所述半导体测试结构包括：
形成在半导体衬底的具有第一导电类型的第一阱区上的MOSFET器件；
形成在所述MOSFET器件上方的金属屏蔽层，所述金属屏蔽层完全覆盖所述MOSFET器件并且延伸超出所述第一阱区的四周；
紧邻所述第一阱区的底面形成在所述半导体衬底中的具有第二导电类型的深阱区，所述深阱区延伸超出所述第一阱区四周；
其中，在所述金属屏蔽层超出所述第一阱区的部分与所述深阱区超出所述第一阱区的部分之间形成有垂直通孔以使所述金属屏蔽层与所述深阱区耦接，
所述金属屏蔽层被用于在测试时与测试机台的接地端连接，并且
所述第一导电类型与所述第二导电类型为相反的导电类型。
2.如权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，紧邻所述第一阱区的四周在所述半导体衬底中分别形成有第二导电类型的第二阱区，所述第二阱区至少部分地与所述深阱区接触，并且所述垂直通孔形成在所述第二阱区与所述金属屏蔽层的超出所述第一阱区的部分之间。
3.如权利要求2所述的半导体测试结构，其特征在于，所述MOSFET器件具有形成在半导体衬底之上的第一层金属层中的源极、漏极和/或栅极。
4.如权利要求3所述的半导体测试结构，其特征在于，所述MOSFET器件还具有形成在所述第一层金属层中的基极。
5.如权利要求3所述的半导体测试结构，其特征在于，所述金属屏蔽层是在所述第一层金属层之上构图形成的第二层金属层。
6.如权利要求5所述的半导体测试结构，其特征在于，在所述第一层金属层与所述第二层金属层之间形成层间介质层，并且在所述第一层金属层与所述半导体衬底之间形成有金属前介质层。
7.如权利要求6所述的半导体测试结构，其特征在于，所述垂直通孔包括穿过所述层间介质层的第一部分垂直通孔和穿过所述金属前介质层的第二部分垂直通孔；在所述第一部分垂直通孔与所述第二部分垂直通孔之间设置有在第一层金属层中形成的第二阱区的引出电极。
8.如权利要求1或2所述的半导体测试结构，其特征在于，在所述金属屏蔽层上沿与所述MOSFET器件的沟道方向垂直的方向设置有至少一个槽。
9.如权利要求1或2所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华半导体有限公司，未经无锡华润上华半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210406422.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
