[发明专利]刻蚀工艺监控信号的处理方法和刻蚀终点控制方法有效
| 申请号： | 201210398754.8 | 申请日： | 2012-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN102931045A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 黄智林 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/3065;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种刻蚀工艺监控信号的处理方法和刻蚀终点控制方法，其中，处理方法包括：根据信号强度的变化状况，将反映等离子刻蚀工艺的实时刻蚀信号强度的变化曲线划分为起始阶段、稳定反应阶段、刻蚀终止阶段以及刻蚀完成阶段；在稳定反应阶段中划出基准判断区域，基准判断区域占所述稳定反应阶段的30%~80%，且基准判断区域的终点与所述刻蚀终止阶段的起点之间具有一定距离；将基准判断区域分成n个时间区域，获取每个时间区域内刻蚀信号强度的平均值，其中n取大于1的整数；将所有平均值中的最大值或最小值作为刻蚀终点信号判断的基准值。本发明提供的方法准确的反应实际中的等离子体刻蚀工艺，并且能够适用各种不同情况的需要。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 工艺 监控 信号 处理 方法 终点 控制 | ||
【主权项】：
一种等离子体刻蚀工艺监控信号的处理方法，其特征在于，包括：根据信号强度的变化状况，将反映等离子刻蚀工艺的实时刻蚀信号强度的变化曲线划分为起始阶段、稳定反应阶段、刻蚀终止阶段以及刻蚀完成阶段；在所述稳定反应阶段中划出基准判断区域，所述基准判断区域占所述稳定反应阶段的30%~80%，且所述基准判断区域的终点与所述刻蚀终止阶段的起点之间具有一定距离；将所述基准判断区域分成n个时间区域，获取每个时间区域内刻蚀信号强度的平均值，其中n取大于1的整数；将所有平均值中的最大值或最小值作为刻蚀终点信号判断的基准值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备（上海）有限公司，未经中微半导体设备（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210398754.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：索引生成和使用的方法和装置
- 下一篇：用于分析多线程应用的性能的方法和系统
