[发明专利]刻蚀工艺监控信号的处理方法和刻蚀终点控制方法

权利要求书

1.一种等离子体刻蚀工艺监控信号的处理方法，其特征在于，包括：

根据信号强度的变化状况，将反映等离子刻蚀工艺的实时刻蚀信号强度的变化曲线划分为起始阶段、稳定反应阶段、刻蚀终止阶段以及刻蚀完成阶段；

在所述稳定反应阶段中划出基准判断区域，所述基准判断区域占所述稳定反应阶段的30%~80%，且所述基准判断区域的终点与所述刻蚀终止阶段的起点之间具有一定距离；

将所述基准判断区域分成n个时间区域，获取每个时间区域内刻蚀信号强度的平均值，其中n取大于1的整数；

将所有平均值中的最大值或最小值作为刻蚀终点信号判断的基准值。

2.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述实时刻蚀信号为所述等离子体刻蚀工艺中的反应物或生成物的OES特征谱线。

3.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述实时刻蚀信号为所述等离子体刻蚀工艺中的反应物或生成物的OES特征谱线强度的求导值。

4.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述基准判断区域的终点与所述刻蚀终止阶段的起点之间距离的大小与被刻蚀膜层的厚度的刻蚀误差容许值的大小成正相关。

5.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于，综合所述等离子刻蚀工艺中的多个反应物或者生成物的刻蚀信号进行所述起始阶段、稳定反应阶段、刻蚀终止阶段以及刻蚀完成阶段的划分。

6.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于，n的取值范围为3到10。

7.如权利要求6所述的处理方法，其特征在于，n为5。

8.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述时间区域为互相连续不重合的区域，且每个区域经历的时间为1s~2s。

9.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述基准判断区域中n个时间区域内刻蚀信号强度平均值连续上升时，选择刻蚀信号强度的最大值作为刻蚀终点信号判断的基准值。

10.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述基准判断区域的时间小于等于6秒时，选择刻蚀信号强度的最小值作为刻蚀终点信号判断的基准值。

11.一种等离子体刻蚀工艺的终点控制方法，其特征在于，包括：

提供同一批次的多个晶圆；

选取至少一个晶圆作为试样，对该试样进行等离子刻蚀，并对刻蚀过程进行监控，以获得实时刻蚀信号强度的变化曲线；

利用如权利要求1至10中任一项所述的处理方法对上述变化曲线进行处理，获得基准值；

利用上述基准值对同一批次的其它晶圆的刻蚀过程进行终点控制。

12.如权利要求11所述的终点控制方法，其特征在于，利用上述基准值对其它晶圆的刻蚀过程进行终点控制的步骤包括：在其它晶圆的刻蚀中，实时测试刻蚀信号强度，当测得的刻蚀信号强度值与所述基准值的偏差超出一阈值时，结束刻蚀。