[发明专利]一种熔融硅悬浮的硅料补充方法无效
| 申请号： | 201210397550.2 | 申请日： | 2012-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN103774219A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 丁欣 | 申请（专利权）人： | 丁欣 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/02;C30B35/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200123 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及硅晶体生长。近些年出现很多使用连续直拉法拉制硅单晶的尝试，而连续拉制过程中对张晶炉内的硅进行补充成为工艺实现的最大瓶颈。本发明提供一种熔融硅悬浮的硅料补充方法。将熔融硅利用磁悬浮原理悬浮在原料坩埚中，通过调节磁场起到阀门的开闭作用，将熔融硅连续或间歇地输送至长晶炉中进行长晶。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 熔融 悬浮 补充 方法 | ||
【主权项】：
一种熔融硅悬浮的硅料补充方法权利要求为利用如图所示的熔融硅悬浮的硅料补充方法。将熔融硅利用磁悬浮原理悬浮在加料坩埚中，通过调节磁场起到阀门的开闭作用，将熔融硅连续或间歇地输送至长晶炉中进行长晶。对本方法进行变通，增加或者减少磁悬浮线圈(4)截断线圈，(5)中位线圈和(6)阀门线圈或者使用永磁体实现悬浮及控制，均不构成对本发明的合理回避。都属于本发明权利要求范围。无论加料坩埚使用何种材料，(7)加料补充熔融硅是内实现完全悬浮而不接触(8)加料坩埚，均不构成对本发明的合理回避。都属于本发明权利要求范围。为配合说明，本发明说明书中(2)长晶炉内坩埚及(1)长晶炉内熔融硅配图为典型直拉单晶炉结构。本发明亦可适用于铸锭，区熔等其他硅晶体连续加料。将本发明应用其他由熔融硅生长晶体的场合，均不构成对本发明的合理回避。都属于本发明权利要求范围。
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