[发明专利]一种熔融硅悬浮的硅料补充方法

说明书

技术领域：

本发明涉及晶体生长领域

背景技术：

近些年出现很多使用连续直拉法拉制硅单晶的尝试，而连续拉制过程中对张晶炉内的硅进行补充成为工艺实现的最大瓶颈。本发明提供一种熔融硅悬浮的硅料补充方法。将熔融硅利用磁悬浮原理悬浮在加料坩埚中，通过调节磁场起到阀门的开闭作用，将熔融硅连续或间歇地输送至长晶炉中进行长晶。

发明内容：

本方法将熔融硅利用磁悬浮原理悬浮在加料坩埚中，通过调节磁场起到阀门的开闭作用，将熔融硅连续或间歇地输送至长晶炉中进行长晶。由于熔融硅处于悬浮状态，与坩埚不发生直接接触，从而避免了坩埚材料内的杂质进入熔融硅中影响硅晶体的质量。

附图说明：

1长晶炉内熔融硅

2长晶炉内坩埚

3生长制作的硅晶体

4截断线圈

5中位线圈

6阀门线圈

7加料补充熔融硅

8加料坩埚

9加料导管

具体实施方式：

如图所示设备。(2)长晶炉内坩埚内盛有(1)长晶炉内熔融硅，从而拉制(3)生长制作的硅晶体。在(1)长晶炉内熔融硅的上方设置有(7)加料补充熔融硅及(8)加料坩埚。(8)加料坩埚外自上而下环绕有(4)截断线圈，(5)中位线圈和(6)阀门线圈。(8)加料坩埚有(9)加料导管通向(1)长晶炉内熔融硅。

(4)截断线圈，(5)中位线圈和(6)阀门线圈通电后，通过电磁效应将(7)加料补充熔融硅悬浮在(8)加料坩埚中。当需要向(2)长晶炉内坩埚内(1)长晶炉内熔融硅补充熔融硅时。加大(4)截断线圈功率，减小(6)阀门线圈功率即和使得(7)加料补充熔融硅通过(9)加料导管注入(1)长晶炉内熔融硅。调配(4)截断线圈，(5)中位线圈和(6)阀门线圈功率和时序，即可实现对加料量的调节。(9)加料导管外可以设置辅助线圈或者永磁体减缓熔融硅在(9)加料导管内的流动速度，使得注入的熔融硅不对(1)长晶炉内熔融硅造成扰动。