[发明专利]功率半导体二极管、IGBT 及其制造方法有效
| 申请号： | 201210395526.5 | 申请日： | 2012-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN103050547A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 霍尔格·豪斯肯;安东·毛德;沃尔夫冈·勒斯纳;汉斯-约阿希姆·舒尔茨 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/739;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 提供了一种功率半导体二极管、IGBT及其制造方法。功率半导体二极管包括半导体衬底，该衬底具有第一导电型的第一发射极区域、第二导电型的第二发射极区域以及设置在第一发射极区域和第二发射极区域之间的第一导电型的漂移区。漂移区与第二发射极区域形成pn结。第一发射极金属化与第一发射极区域接触。第一发射极区域包括第一导电型的第一掺杂区域以及第一导电型的第二掺杂区域。第一掺杂区域与第一发射极金属化形成欧姆接触，并且第二掺杂区域与第一发射极金属化形成非欧姆接触。第二发射极金属化与第二发射极区域接触。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 二极管 igbt 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种功率半导体二极管，包括：半导体衬底，包括第一导电型的第一发射极区域、第二导电型的第二发射极区域以及设置在所述第一发射极区域和所述第二发射极区域之间的所述第一导电型的漂移区，所述漂移区与所述第二发射极区域形成pn结；第一发射极金属化，所述第一发射极金属化与所述第一发射极区域接触，所述第一发射极区域包括所述第一导电型的第一掺杂区域以及所述第一导电型的第二掺杂区域，所述第一掺杂区域与所述第一发射极金属化形成欧姆接触，所述第二掺杂区域与所述第一发射极金属化形成非欧姆接触；以及第二发射极金属化，所述第二发射极金属化与所述第二发射极区域接触。
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