[发明专利]一种太阳能单晶硅电池的单面抛光工艺

摘要

本发明公开了一种太阳能单晶硅电池的单面抛光工艺，其目的在于解决双面抛光对单晶硅片减薄量过大，导致硅片过薄的问题；链式单面碱抛光抛光液反应难控制的问题；链式酸抛光污染大，废水处理困难的问题。本发明包括前道工艺、背面抛光、丝网印刷与烧结三大步骤，具有抛光液无金属离子污染、硅片减薄量低、无需刻蚀工艺、抛光液调整方便、设备成本低的优点。

主权项

一种太阳能单晶硅电池的单面抛光工艺，其特征在于：所述的单面抛光工艺步骤如下：（1） 前道工艺：首先将单晶硅片在质量浓度为12‑16%的NaOH溶液中预清洗30‑50s，再用纯水洗净；接着在制绒液中进行制绒，在单晶硅片正面、背面形成金字塔绒面结构，并经纯水清洗和甩干；然后在单晶硅片正面进行磷扩散，形成n型发射极，扩散电阻范围为70‑75R□；用体积浓度为8‑12%的HF溶液将单晶硅片表面的磷硅玻璃清洗干净，并甩干；最后在单晶硅片正面用PECVD法沉积一层氮化硅减反射膜；（2）背面抛光：将前道工艺制得的单晶硅片装入硅片篮中，放入化学抛光槽中进行背面抛光，背面抛光时的温度为65‑85℃，时间为5‑15min，抛光液各组分及其体积百分含量如下：四甲基氢氧化铵或甲基三乙基氢氧化铵 15‑20%，异丙醇3‑5%， 十二烷基三甲基氯化铵0.5‑1%，纯水余量；（3） 丝网印刷与烧结：在步骤（2）处理完的单晶硅片的正面、背面通过丝网印刷制电极，烘干和烧结，使之与单晶硅片形成欧姆接触，获得背面抛光单晶硅电池。