[发明专利]一种太阳能单晶硅电池的单面抛光工艺

权利要求书

1.一种太阳能单晶硅电池的单面抛光工艺，其特征在于：所述的单面抛光工艺步骤如下：

（1） 前道工艺：首先将单晶硅片在质量浓度为12-16%的NaOH溶液中预清洗30-50s，再用纯水洗净；接着在制绒液中进行制绒，在单晶硅片正面、背面形成金字塔绒面结构，并经纯水清洗和甩干；然后在单晶硅片正面进行磷扩散，形成n型发射极，扩散电阻范围为70-75R_□；用体积浓度为8-12%的HF溶液将单晶硅片表面的磷硅玻璃清洗干净，并甩干；最后在单晶硅片正面用PECVD法沉积一层氮化硅减反射膜；

（2）背面抛光：将前道工艺制得的单晶硅片装入硅片篮中，放入化学抛光槽中进行背面抛光，背面抛光时的温度为65-85℃，时间为5-15min，抛光液各组分及其体积百分含量如下：四甲基氢氧化铵或甲基三乙基氢氧化铵 15-20%，异丙醇3-5%， 十二烷基三甲基氯化铵0.5-1%，纯水余量；

（3） 丝网印刷与烧结：在步骤（2）处理完的单晶硅片的正面、背面通过丝网印刷制电极，烘干和烧结，使之与单晶硅片形成欧姆接触，获得背面抛光单晶硅电池。

2.根据权利要求1所述的一种太阳能单晶硅电池的单面抛光工艺，其特征在于：步骤（1）中预清洗使用的NaOH溶液的温度控制在70-90℃。

3.根据权利要求1或2所述的一种太阳能单晶硅电池的单面抛光工艺，其特征在于：步骤（1）中，制绒液各组分的组成及其质量百分含量为：1-1.5%的NaOH，0.1-0.3%的Na₂SiO₃，2.5-3.5%的异丙醇，水余量。

4.根据权利要求3所述的一种太阳能单晶硅电池的单面抛光工艺，其特征在于：制绒的温度控制在70-90℃，时间为15-30min。

5.根据权利要求1或2所述的一种太阳能单晶硅电池的单面抛光工艺，其特征在于：步骤（1）中所述氮化硅减反射膜厚度为65-75nm，折射率为1.9-2.1。