[发明专利]基于支持向量机回归的晶体直径测量方法有效
| 申请号： | 201210391462.1 | 申请日： | 2012-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN102914270A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 梁军利;张妙花;范自强;刘丁;梁炎明 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | G01B11/08 | 分类号： | G01B11/08 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于支持向量机回归的晶体直径测量方法，首先采用CCD照相机采集单晶硅生长过程中的孔径图像，对该孔径图像进行预处理得到用于估计的采样点；然后，针对椭圆的标准模型推导出来一个用于支持向量机回归的模型，利用ε-SVR模型解出模型中的权值w及偏移量b，从而确定出椭圆拟合的参数。本发明的方法，能准确的估计晶体生长中的直径变化，使生长中的晶体直径得到很好的控制，又能在很少样本点的情况下进行很好的直径拟合，在解决高维数据时发挥了很大的优势，这是其他方法所不能达到的。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 支持 向量 回归 晶体 直径 测量方法 | ||
【主权项】：
一种基于支持向量机回归的晶体直径测量方法，其特征在于：首先采用CCD照相机采集单晶硅生长过程中的孔径图像，对该孔径图像进行预处理得到用于估计的采样点；然后，针对椭圆的标准模型推导出来一个用于支持向量机回归的ε‑SVR模型，利用ε‑SVR模型解出模型中的权值w及偏移量b，从而确定出椭圆拟合的参数。
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