[发明专利]P型硅单晶以及其制造方法有效
| 申请号： | 201210391297.X | 申请日： | 2012-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN103046130A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 中居克彦 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/04 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东;谭邦会 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提供电阻率高并且电阻率变化率较小的p型硅单晶以及其制造方法。解决方法：制造p型硅单晶1的方法，包括以下步骤：制备硅熔体7，所述硅熔体中已加入作为主掺杂物的硼、为n型杂质且偏析系数比硼低的第一副掺杂物、以及为p型杂质且偏析系数比第一副掺杂物低的第二副掺杂物。用佐克拉斯基方法从硅熔体7生长电阻率不低于6Ωcm的硅单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 型硅单晶 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
制造p型硅单晶的方法，其包括以下步骤：‑制备硅熔体，所述硅熔体中已加入了作为主掺杂物的硼、为n型杂质且偏析系数比所述硼低的第一副掺杂物、以及为p型杂质且偏析系数比所述第一副掺杂物低的第二副掺杂物；以及‑用佐克拉斯基方法从所述硅熔体生长电阻率不低于6Ωcm的硅单晶。
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