[发明专利]P型硅单晶以及其制造方法

权利要求书

1.制造p型硅单晶的方法，其包括以下步骤：

-制备硅熔体，所述硅熔体中已加入了作为主掺杂物的硼、为n型杂质且偏析系数比所述硼低的第一副掺杂物、以及为p型杂质且偏析系数比所述第一副掺杂物低的第二副掺杂物；以及

-用佐克拉斯基方法从所述硅熔体生长电阻率不低于6Ωcm的硅单晶。

2.制造权利要求1的p型硅单晶的方法，其中

-所述第一副掺杂物为磷，所述第二副掺杂物为铝，并且

-所述硅熔体中所述第一副掺杂物的浓度除以所述硅熔体中所述主掺杂物浓度计算得到的第一浓度比不小于0.5且不大于1.2，并且所述硅熔体中所述第二副掺杂物浓度除以所述硅熔体中所述主掺杂物浓度计算得到的第二浓度比不小于4.9且不大于52.4。

3.制造权利要求1的p型硅单晶的方法，其中

-所述第一副掺杂物为磷，所述第二副掺杂物为镓，并且

-所述硅熔体中所述第一副掺杂物浓度除以所述硅熔体中所述主掺杂物浓度计算得到的第一浓度比不小于0.5且不大于1.2，并且所述硅熔体中所述第二副掺杂物浓度除以所述硅熔体中所述主掺杂物浓度计算得到的第二浓度比不小于1.2且不大于13.4。

4.制造权利要求1的p型硅单晶的方法，其中

-所述第一副掺杂物为磷，所述第二副掺杂物为铟，并且

-所述硅熔体中所述第一副掺杂物浓度除以所述硅熔体中所述主掺杂物浓度计算得到的第一浓度比不小于0.5且不大于1.2，并且所述硅熔体中所述第二副掺杂物浓度除以所述硅熔体中所述主掺杂物浓度计算得到的第二浓度比不小于25.1且不大于261.2。

5.制造权利要求1的p型硅单晶的方法，其中

-所述第一副掺杂物为砷，所述第二副掺杂物为铝，并且

-所述硅熔体中所述第一副掺杂物浓度除以所述硅熔体中所述主掺杂物浓度计算得到的第一浓度比不小于0.6且不大于1.5，并且所述硅熔体中所述第二副掺杂物浓度除以所述硅熔体中所述主掺杂物浓度计算得到的第二浓度比不小于11.7且不大于72.2。

6.制造权利要求1的p型硅单晶的方法，其中

-所述第一副掺杂物为砷，所述第二副掺杂物为镓，并且

-所述硅熔体中所述第一副掺杂物浓度除以所述硅熔体中所述主掺杂物浓度计算得到的第一浓度比不小于0.6且不大于1.5，并且所述硅熔体中所述第二副掺杂物浓度除以所述硅熔体中所述主掺杂物浓度计算得到的第二浓度比不小于3.1且不大于18.3。

7.制造权利要求1的p型硅单晶的方法，其中

-所述第一副掺杂物为砷，所述第二副掺杂物为铟，并且

-所述硅熔体中所述第一副掺杂物浓度除以所述硅熔体中所述主掺杂物浓度计算得到的第一浓度比不小于0.6且不大于1.4，并且所述硅熔体中所述第二副掺杂物浓度除以所述硅熔体中所述主掺杂物浓度计算得到的第二浓度比不小于57.9且不大于324.0。

8.制造权利要求1的p型硅单晶的方法，其中

-所述第一副掺杂物为磷，所述第二副掺杂物为铝，并且

-所述硅熔体中所述第一副掺杂物浓度除以所述硅熔体中所述主掺杂物浓度计算得到的第一浓度比不小于0.79且不大于0.81，并且所述硅熔体中所述第二副掺杂物浓度除以所述硅熔体中所述主掺杂物浓度计算得到的第二浓度比不小于24.2且不大于27.0。

9.制造权利要求1的p型硅单晶的方法，其中

-所述第一副掺杂物为磷，所述第二副掺杂物为铝，并且

-所述硅熔体中所述第一副掺杂物浓度除以所述硅熔体中所述主掺杂物浓度计算得到的第一浓度比不小于0.89且不大于0.91，并且所述硅熔体中所述第二副掺杂物浓度除以所述硅熔体中所述主掺杂物浓度计算得到的第二浓度比不小于30.8且不大于33.8。

10.制造权利要求1的p型硅单晶的方法，其中

-所述第一副掺杂物为磷，所述第二副掺杂物为镓，并且

-所述硅熔体中所述第一副掺杂物浓度除以所述硅熔体中所述主掺杂物浓度计算得到的第一浓度比不小于0.79且不大于0.81，并且所述硅熔体中所述第二副掺杂物浓度除以所述硅熔体中所述主掺杂物浓度计算得到的第二浓度比不小于6.2且不大于6.9。