[发明专利]一种具有垂直导电沟道的半导体装置及其制备方法在审
| 申请号： | 201210391026.4 | 申请日： | 2012-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN103730490A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 谢刚;汤岑;郭清;汪涛;崔京京;盛况 | 申请（专利权）人： | 浙江大学苏州工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10;H01L21/335 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215163 江苏省苏州市高新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有垂直导电沟道和增强耐压能力的半导体装置；本发明的半导体装置，为垂直型结构器件；本发明的半导体装置，具有垂直方向的导电沟道，电子由源极出发，流经水平沟道，并通过垂直深槽侧壁的沟道导通层强制转为垂直方向，通过器件底部的漂移区进入漏极；相对于传统的水平沟道的平面型HEMT器件，本发明的半导体装置不仅有着更为优异的单位面积的电流导通能力，能够有效降低器件的比导通电阻Ron-sp，而且本装置能够充分利用漂移区长度耐压，消除了传统横向器件的二维表面场优化的固有问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 垂直 导电 沟道 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种垂直型的半导体装置，其特征：栅极电极；源极电极和漏极电极；一系列III族氮化物层，其形成具有与所述源极电极，漏极电极形成欧姆接触，栅极电极形成肖特基接触的N面堆叠。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学苏州工业技术研究院，未经浙江大学苏州工业技术研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210391026.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
