[发明专利]一种集成续流二极管的半导体装置及其制备方法在审
| 申请号： | 201210390960.4 | 申请日： | 2012-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN103730464A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 谢刚;汤岑;盛况;汪涛;郭清;崔京京 | 申请（专利权）人： | 浙江大学苏州工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L21/822 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215163 江苏省苏州市高新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有可集成续流二极管的半导体装置；本发明的半导体装置由III族氮化物的三端HEMT器件和III族氮化物的两端SBD器件并联构成，通过金属电板在器件上方或者器件外围通过电板引导将金属电极相连接。带有可集成的续流二极管的HEMT，通过其自带的二极管，避免了外接二极管的模块化的复杂工艺，极大的降低了电路尺寸和设计成本，提高了芯片工作的稳定度。本发明的半导体结适合应用于平面结构的器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 二极管 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种集成续流二极管的半导体装置，包括：栅极电极；源极电极和漏极电极；阳极电极和阴极电极；一系列III族氮化物层，其形成具有与所述源极电极，漏极电极和阴极电极形成欧姆接触，阳极电极和栅极电极形成肖特基接触的N面堆叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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