[发明专利]一种集成续流二极管的半导体装置及其制备方法

权利要求书

1.一种集成续流二极管的半导体装置，包括：

栅极电极；

源极电极和漏极电极；

阳极电极和阴极电极；

一系列III族氮化物层，其形成具有与所述源极电极，漏极电极和阴极电极形成欧姆接触，阳极电极和栅极电极形成肖特基接触的N面堆叠。

2.如权利要求1所述的器件，其中，所述最上层是其中在器件的接入区中形成2DEG的沟道层。

3.如权利要求2所述的器件，其中，所述沟道的栅极区域存在不施加于所述栅极电压的情况下包含2DEG，并且所述器件是耗尽模式器件。

4.如权利要求1所述的器件，还包括朝着所述阴极电极延伸的阳极场板。

5.如权利要求1所述的器件，还包括朝着所述漏极电极延伸的栅极场板。

6.如权利要求1所述的器件，其中的表面覆盖包括SiN。

7.如权利要求1所述的器件，其衬底包括蓝宝石，Si，SiC等绝缘或非绝缘衬底。

8.如权利要求1所述的器件，其所述阴极电极可以通过延伸的金属同所述漏极电极相连。

9.一种集成续流二极管的半导体装置，包括：

栅极电极；

源极电极和漏极电极；

阳极电极和阴极电极；

一系列III族氮化物层，其形成具有与所述源极电极，漏极电极和阴极电极形成欧姆接触，阳极电极和栅极电极形成肖特基接触的Ga面堆叠。

10.如权利要求9所述的器件，其中，所述最上层是其中在器件的接入区中形成2DEG的沟道层。

11.如权利要求10所述的器件，其中，所述沟道的栅极区域存在不施加于所述栅极电压的情况下包含2DEG，并且所述器件是耗尽模式器件。

12.如权利要求9所述的器件，还包括朝着所述阴极电极延伸的阳极场板。

13.如权利要求9所述的器件，还包括朝着所述漏极电极延伸的栅极场板。

14.如权利要求9所述的器件，其中的表面覆盖包括SiN。

15.如权利要求9所述的器件，其衬底包括蓝宝石，Si，SiC等绝缘或非绝缘衬底。

16.如权利要求9所述的器件，其所述阴极可以通过延伸的金属同所述漏极电极相连。

17.如权利要求1、9所述一种集成续流二极管的半导体装置的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

1)在衬底上通过外延生长形成可以导电的半导体材料N面或Ga面的堆叠层。

2)在表面形成钝化层，去除部分钝化层，进行刻蚀形成沟槽，在沟槽内形成绝缘材料，对二极管和HEMT进行隔离。

3)通过掩膜版分别对二极管和HEMT进行部分刻蚀，沉积金属。

4)引出金属电极板，在器件表面相连。