[发明专利]一种背钝化晶体硅太阳能电池的制备方法及太阳能电池

摘要

本发明公开了一种背钝化晶体硅太阳能电池的制备方法及太阳能电池。本发明提供的方法包括步骤：在硅片正面形成绒面；在所述硅片正面进行P扩散，然后去除所述硅片正面的PSG和周边P扩散层；在所述硅片背面制备复合电介质膜，所述复合电介质膜中的各成分均匀分布；在所述硅片正面形成减反膜；在所述硅片背面形成背电极，在所述硅片正面形成正电极。相应的，本发明还提供一种采用本发明提供的方法制备的太阳能电池。采用本发明提供的方法可以有效提高太阳能电池的背钝化效果，进而提高太阳能电池的光电转换效率。

主权项

一种背钝化晶体硅太阳能电池的制备方法，其中，包括以下步骤：a）在硅片正面形成绒面；b）在所述硅片正面进行P扩散，然后去除所述硅片正面的PSG和周边P扩散层；c）在所述硅片背面制备复合电介质膜，所述复合电介质膜中的各成分均匀分布；d）在所述硅片正面形成减反膜；e）在所述硅片背面形成背电极，在所述硅片正面形成正电极。