[发明专利]一种背钝化晶体硅太阳能电池的制备方法及太阳能电池

权利要求书

1.一种背钝化晶体硅太阳能电池的制备方法，其中，包括以下步骤：

a）在硅片正面形成绒面；

b）在所述硅片正面进行P扩散，然后去除所述硅片正面的PSG和周边P扩散层；

c）在所述硅片背面制备复合电介质膜，所述复合电介质膜中的各成分均匀分布；

d）在所述硅片正面形成减反膜；

e）在所述硅片背面形成背电极，在所述硅片正面形成正电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述步骤a）和所述步骤b）之间还包括步骤：

f）在所述硅片背面形成P+（B）层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述步骤f）进一步包括：

f1）将B离子注入到所述硅片背面；

f2）退火。

4.根据权利要求1~3任一项所述的方法，其中，采用磁控溅射法或纳米共混粒子真空烧结法在所述硅片背面制备所述复合电介质膜。

5.根据权利要求1~4任一项所述的方法，其中，所述复合电介质膜的厚度范围为5nm~5000nm。

6.根据权利要求1~4任一项所述的方法，其中，所述复合电介质膜包括：SixAlyOz、SixAlyNz：H、SixCyNz:H、SixCyOz、Si₃N₄-SiC、Si₃N₄-Al₂O₃或SiO₂-Al₂O₃。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述减反膜的厚度范围为10nm~150nm。

8.根据权利要求1所述的方法，所述背电极为条形背电极。

9.根据权利要求1或8所述的方法，其中，所述背电极的面积占背场总面积的1%~90%。

10.一种背钝化晶体硅太阳能电池，由上至下依次包括：正电极、减反膜、绒面、P扩散层、硅片、复合电介质膜、背电极，其特征在于，所述复合电介质膜中的各成分均匀分布。

11.根据权利要求10所述的太阳能电池，其中，在所述硅片和所述复合电介质膜之间还包括P+（B）层。

12.根据权利要求10或11所述的太阳能电池，其中，所述复合电介质膜的厚度范围为5nm~5000nm。

13.根据权利要求10或11所述的太阳能电池，其中，所述复合电介质膜包括：SixAlyOz、SixAlyNz：H、SixCyNz:H、SixCyOz、Si₃N₄-SiC、Si₃N₄-Al₂O₃或SiO₂-Al₂O₃。

14.根据权利要求10或11所述的太阳能电池，其中，所述减反膜的厚度范围为10nm~150nm。

15.根据权利要求10所述的太阳能电池，所述背电极为条形背电极。

16.根据权利要求10或15所述的太阳能电池，其中，所述背电极的面积占背场总面积的1%~90%。