[发明专利]MIM电容器及其制造方法无效
| 申请号： | 201210388711.1 | 申请日： | 2012-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN102881674A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 郑春生 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种MIM电容器制造方法，在干法刻蚀介质层形成电容器凹槽之后，湿法刻蚀所述介质层，利用湿法刻蚀各向同性的特点，对所述凹槽电容器沟槽进行腐蚀以使所述电容器凹槽圆角化，随后在所述介质层和电容器凹槽上依次形成下电极、绝缘体以及上电极，所述下电极、绝缘体以及上电极的边角也随之圆滑，有效降低尖端放电的可能性，从而提高电容器操作过程中的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | mim 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种MIM电容器制造方法，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有介质层；干法刻蚀所述介质层，以形成电容器凹槽；湿法刻蚀所述介质层，以使所述电容器凹槽圆角化；在所述介质层和电容器凹槽上依次形成下电极、绝缘体以及上电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210388711.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
