[发明专利]MIM电容器及其制造方法无效
| 申请号： | 201210388711.1 | 申请日： | 2012-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN102881674A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 郑春生 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mim 电容器 及其 制造 方法 | ||
1.一种MIM电容器制造方法，包括：
提供一衬底，所述衬底上形成有介质层；
干法刻蚀所述介质层，以形成电容器凹槽；
湿法刻蚀所述介质层，以使所述电容器凹槽圆角化；
在所述介质层和电容器凹槽上依次形成下电极、绝缘体以及上电极。
2.如权利要求1所述的MIM电容器制造方法，其特征在于，所述介质层为二氧化硅。
3.如权利要求2所述的MIM电容器制造方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的工艺参数为：刻蚀液为DHF或BOE；刻蚀时间为5秒-10分钟。
4.如权利要求2所述的MIM电容器制造方法，其特征在于，所述干法刻蚀的工艺参数为：压力为1-10mTorr，source RF功率为100-300瓦，Bias RF功率为100-300瓦，氧气流量为10-30sccm，CF4流量为10-50sccm，He流量为20-100sccm，温度40-50度。
5.如权利要求1至4中任意一项所述的MIM电容器制造方法，其特征在于，所述下电极和上电极的材质为铜或铝。
6.如权利要求1至4中任意一项所述的MIM电容器制造方法，其特征在于，所述绝缘体为二氧化硅或氮化硅。
7.一种MIM电容器，其特征在于，包括形成于介质层和电容器凹槽上的下电极、绝缘体以及上电极，所述电容器凹槽为圆角化的凹槽。
8.如权利要求7所述的MIM电容器，其特征在于，所述下电极和上电极的材质为铜或铝，所述绝缘体为二氧化硅或氮化硅。
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