[发明专利]一种溶液法制备三碘化铯锡薄膜的方法有效
| 申请号： | 201210382413.1 | 申请日： | 2012-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN103708534A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 沈凯;陈琢;任宇航 | 申请（专利权）人： | 浙江尚颉光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C01G19/00 | 分类号： | C01G19/00;C03C17/22;C04B41/85 |
| 代理公司： | 北京市盛峰律师事务所 11337 | 代理人： | 赵建刚 |
| 地址： | 311121 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种溶液法制备三碘化铯锡薄膜的方法，包括以下步骤：S11，制备CsI溶液，所述CsI溶液的浓度为5wt％至50wt％；S12，制备SnCl2溶液，所述SnCl2溶液的浓度为10wt％至80wt％；S13，将所述CsI溶液和所述SnCl2溶液混合，制备三碘化铯锡溶液；S14，将所述三碘化铯锡溶液滴涂到所述基底上；S15，加热所述基底至干燥，在所述基底上形成三碘化铯锡薄膜。本发明滴涂法制备三碘化铯锡(CsSnI3)薄膜的方法，在玻璃、陶瓷和金属箔等大面积基底上合成薄膜，不需要基于真空手段就能合成CsSnI3薄膜的方法，可显著降低成本，使这种薄膜作为新的太阳能电池吸收材料将得到广泛的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 溶液 法制 碘化 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种溶液法制备三碘化铯锡薄膜的方法，其特征在于，包括： S11，制备CsI溶液，所述CsI溶液的浓度为5wt％至50wt％； S12，制备SnCl2溶液，所述SnCl2溶液的浓度为10wt％至80wt％； S13，将所述CsI溶液和所述SnCl2溶液混合，制备三碘化铯锡溶液； S14，将所述三碘化铯锡溶液滴涂到所述基底上； S15，加热所述基底至干燥，在所述基底上形成三碘化铯锡薄膜。
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