[发明专利]一种溶液法制备三碘化铯锡薄膜的方法有效
| 申请号： | 201210382413.1 | 申请日： | 2012-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN103708534A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 沈凯;陈琢;任宇航 | 申请（专利权）人： | 浙江尚颉光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C01G19/00 | 分类号： | C01G19/00;C03C17/22;C04B41/85 |
| 代理公司： | 北京市盛峰律师事务所 11337 | 代理人： | 赵建刚 |
| 地址： | 311121 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 溶液 法制 碘化 薄膜 方法 | ||
1.一种溶液法制备三碘化铯锡薄膜的方法，其特征在于，包括：
S11，制备CsI溶液，所述CsI溶液的浓度为5wt％至50wt％；
S12，制备SnCl2溶液，所述SnCl2溶液的浓度为10wt％至80wt％；
S13，将所述CsI溶液和所述SnCl2溶液混合，制备三碘化铯锡溶液；
S14，将所述三碘化铯锡溶液滴涂到所述基底上；
S15，加热所述基底至干燥，在所述基底上形成三碘化铯锡薄膜。
2.根据权利要求1所述的溶液法制备三碘化铯锡薄膜的方法，其特征在于，所述CsI溶液和所述SnCl2溶液的混合比例为1/10～1/3。
3.根据权利要求1所述的溶液法制备三碘化铯锡薄膜的方法，其特征在于，所述三碘化铯锡薄膜的厚度为30～50μm。
4.根据权利要求1所述的溶液法制备三碘化铯锡薄膜的方法，其特征在于，加热所述基底的温度为60～80℃。
5.根据权利要求1所述的溶液法制备三碘化铯锡薄膜的方法，其特征在于，加热所述基底的时间为3～8分钟。
6.根据权利要求1所述的溶液法制备三碘化铯锡薄膜的方法，其特征在于，所述CsI溶液和所述SnCl2溶液混合后发生如下化学反应：
3CsI+SnCl2→CsSnI3+2CsCl 。
7.根据权利要求1或2所述的溶液法制备三碘化铯锡薄膜的方法，其特征在于，制备所述CsI溶液的具体方法为：将纯度为99.9％的CsI粉末溶解在无机溶剂中。
8.根据权利要求7所述的溶液法制备三碘化铯锡薄膜的方法，其特征在于，所述的无机溶剂主要为水、去离子水、蒸馏水中或其任意混合物。
9.根据权利要求1或2所述的溶液法制备三碘化铯锡薄膜的方法，其特征在于，制备所述SnCl2溶液的具体方法为：将纯度为99.9％的SnCl2粉末溶解在有机溶剂中。
10.根据权利要求1所述的溶液法制备三碘化铯锡薄膜的方法，其特征在于，所述的有机溶剂主要为无水乙醇、无水甲醇、无水异丙基、冰醋酸、乙二 醇、三甘醇或其任意混合物。
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