[发明专利]TFT基板接触孔蚀刻制程监控方法有效
| 申请号： | 201210381208.3 | 申请日： | 2012-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN102856230A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 阙祥灯 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种TFT基板接触孔蚀刻制程监控方法，包括以下步骤：步骤1、提供具有第一金属层的基板及监测机台；步骤2，提供具有第一金属层的基板的反射率参考值；步骤3、通过光罩制程图案化该第一金属层，以形成栅极；步骤4、在栅极上形成栅极绝缘层；步骤5、在栅极绝缘层上蚀刻接触孔，同时通过监测机台测量该接触孔底面的反射率，当该接触孔底面的反射率等于参考值时，停止蚀刻。本发明通过监控金属层的反射率变化以确定接触孔内的绝缘层是否蚀刻干净，有效避免由于绝缘层蚀刻不干净而产生接触电阻造成的TFT基板报废，及由于过蚀刻而导致的接触孔钻蚀，接触孔形貌差，进而造成ITO覆盖的时候接触不良。 | ||
| 搜索关键词： | tft 接触 蚀刻 监控 方法 | ||
【主权项】：
一种TFT基板接触孔蚀刻制程监控方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、提供具有第一金属层的基板及监测机台；步骤2、提供具有第一金属层的基板的反射率参考值；步骤3、通过光罩制程图案化该第一金属层，以形成栅极；步骤4、在栅极上形成栅极绝缘层；步骤5、在栅极绝缘层上蚀刻接触孔，同时通过监测机台测量该接触孔底面的反射率，当该接触孔底面的反射率介于参考值的90%～110%之间时，停止蚀刻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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