[发明专利]TFT基板接触孔蚀刻制程监控方法有效
| 申请号： | 201210381208.3 | 申请日： | 2012-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN102856230A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 阙祥灯 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | tft 接触 蚀刻 监控 方法 | ||
1.一种TFT基板接触孔蚀刻制程监控方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、提供具有第一金属层的基板及监测机台；
步骤2、提供具有第一金属层的基板的反射率参考值；
步骤3、通过光罩制程图案化该第一金属层，以形成栅极；
步骤4、在栅极上形成栅极绝缘层；
步骤5、在栅极绝缘层上蚀刻接触孔，同时通过监测机台测量该接触孔底面的反射率，当该接触孔底面的反射率介于参考值的90%～110%之间时，停止蚀刻。
2.如权利要求1所述的TFT基板接触孔蚀刻制程监控方法，其特征在于，所述基板为玻璃基板或塑胶基板。
3.如权利要求1所述的TFT基板接触孔蚀刻制程监控方法，其特征在于，所述第一金属层包含有铝层。
4.如权利要求3所述的TFT基板接触孔蚀刻制程监控方法，其特征在于，所述步骤2中反射率参考值为所述第一金属层中铝层的反射率。
5.如权利要求1所述的TFT基板接触孔蚀刻制程监控方法，其特征在于，所述栅极绝缘层为氮化硅层。
6.一种TFT基板接触孔蚀刻制程监控方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤101、提供具有第二金属层的基板及监测机台；
步骤102、提供具有第二金属层的基板的反射率参考值；
步骤103、通过光罩制程图案化该第二金属层，以形成源漏极；
步骤104、在源漏极上形成源漏极绝缘层；
步骤105、在源漏极绝缘层上蚀刻接触孔，同时通过监测机台测量该接触孔底面的反射率，当该接触孔底面的反射率介于参考值的90%～110%之间时，停止蚀刻。
7.如权利要求6所述的TFT基板接触孔蚀刻制程监控方法，其特征在于，所述基板为玻璃基板或塑胶基板。
8.如权利要求6所述的TFT基板接触孔蚀刻制程监控方法，其特征在于，所述第二金属层包含有铝层。
9.如权利要求8所述的TFT基板接触孔蚀刻制程监控方法，其特征在于，所述步骤102中反射率参考值为所述第二金属层中铝层的反射率。
10.如权利要求6所述的TFT基板接触孔蚀刻制程监控方法，其特征在于，所述源漏极绝缘层为氮化硅层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
