[发明专利]一种非对称波导1060nm半导体激光器结构

摘要

本发明属于半导体光电子学技术领域，涉及一种非对称波导1060nm半导体激光器结构，包括：一衬底，为(100)面的N型GaAs材料，该衬底用于在其上外延生长激光器各层材料；一缓冲层，在衬底上，为N型GaAs材料；一N型下限制层，在缓冲层上，为N型InGaAsP材料；一下波导层，在下限制层上，为N型InGaAsP材料；一量子阱层，该量子阱材料为InGaAs单量子阱，制作在下波导层上；一上波导层，为P型AlGaAs材料，该上波导层在量子阱层上；一P型上限制层，在上波导层上，为P型AlGaAs材料；一过渡层，在P型上限制层上，为P型GaAs材料；一电极接触层，为P型GaAs材料，在过渡层上。

主权项

一种非对称波导1060nm半导体激光器结构，包括：一衬底，为(100)面的N型GaAs材料，该衬底用于在其上外延生长激光器各层材料；一缓冲层，为N‑GaAs材料，该缓冲层制作在衬底上；一N型下限制层，为N‑InGaAsP材料，该N型下限制层制作在缓冲层上；一N型下波导层，为N‑InGaAsP材料，该下波导层制作在下限制层上；一量子阱层，该量子阱有源区材料为较成熟的In0.13Ga0.87As，该量子阱为单量子阱，制作在下波导层上；一P型上波导层，为P‑AlGaAs材料，该上波导层制作在量子阱层上；一P型上限制层，为P‑AlGaAs材料，该P型上限制层制作在上波导层上；一过渡层，为P‑GaAs材料，该过渡层制作在P型上限制层上；一电极接触层，为P‑GaAs材料，该电极接触层制作在过渡层上。