[发明专利]一种非对称波导1060nm半导体激光器结构

权利要求书

1.一种非对称波导1060nm半导体激光器结构，包括：

一衬底，为(100)面的N型GaAs材料，该衬底用于在其上外延生长激光器各层材料；

一缓冲层，为N-GaAs材料，该缓冲层制作在衬底上；

一N型下限制层，为N-InGaAsP材料，该N型下限制层制作在缓冲层上；

一N型下波导层，为N-InGaAsP材料，该下波导层制作在下限制层上；

一量子阱层，该量子阱有源区材料为较成熟的In_0.13Ga_0.87As，该量子阱为单量子阱，制作在下波导层上；

一P型上波导层，为P-AlGaAs材料，该上波导层制作在量子阱层上；

一P型上限制层，为P-AlGaAs材料，该P型上限制层制作在上波导层上；

一过渡层，为P-GaAs材料，该过渡层制作在P型上限制层上；

一电极接触层，为P-GaAs材料，该电极接触层制作在过渡层上。

2.根据权利要求1所述的高功率非对称异质结1060nm半导体激光器结构，其中N型下限制层和N型下波导层，选择导带差小的InGaAsP材料体系，其特征在于InGaAsP材料体系能够提供较小的导带差和较大的价带差，这样的结构有利于导带电子的注入和在价带中对空穴形成更高的势垒。

3.根据权利要求1所述的高功率非对称异质结1060nm半导体激光器结构，其中P型上波导层和P型上限制层，选择导带差大的AlGaAs材料体系，其特征在于AlGaAs材料体系的波导层和包覆层能够对电子形成良好的限制，同时减少价带空穴注入有源区的阻碍。