[发明专利]红外探测装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201210379781.0 | 申请日： | 2012-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN102874740A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 康晓旭 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00;G01J5/20 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种红外探测装置及其制造方法，属于半导体器件领域。该红外探测装置包括：微桥结构单元、设置在所述微桥结构单元上的探测结构单元，所述探测结构单元包括从下到上依次设置在所述微桥结构单元上的第一释放保护和第二释放保护层，以及设置在第一释放保护层和第二释放保护层之间的晶体管；所述晶体管包括电极层和半导体层，所述电极层中的栅极、源极、漏极位于同一层，所述半导体层包括对应于所述电极层中栅极的栅极半导体层、对应于所述电极层中源极的源极半导体层、对应于所述电极层中漏极的漏极半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 红外 探测 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种红外探测装置，其特征在于，包括：微桥结构单元、设置在所述微桥结构单元上的探测结构单元，所述探测结构单元包括从下到上依次设置在所述微桥结构单元上的第一释放保护和第二释放保护层，以及设置在第一释放保护层和第二释放保护层之间的晶体管；所述晶体管包括电极层和半导体层，所述电极层中的栅极、源极、漏极位于同一层，所述半导体层包括对应于所述电极层中栅极的栅极半导体层、对应于所述电极层中源极的源极半导体层、对应于所述电极层中漏极的漏极半导体层。
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