[发明专利]红外探测装置及其制造方法

权利要求书

1.一种红外探测装置，其特征在于，包括：微桥结构单元、设置在所述微桥结构单元上的探测结构单元，所述探测结构单元包括从下到上依次设置在所述微桥结构单元上的第一释放保护和第二释放保护层，以及设置在第一释放保护层和第二释放保护层之间的晶体管；所述晶体管包括电极层和半导体层，所述电极层中的栅极、源极、漏极位于同一层，所述半导体层包括对应于所述电极层中栅极的栅极半导体层、对应于所述电极层中源极的源极半导体层、对应于所述电极层中漏极的漏极半导体层。

2.根据权利要求1所述的红外探测装置，其特征在于，在第一释放保护层和第二释放保护层之间设置一单极性晶体管，所述单极性晶体管包括第一电极层和第一半导体层，所述第一电极层中的第一栅极、第一源极、第一漏极位于所述第一释放保护层之上、所述第一半导体层之下，所述第一半导体层包括对应于所述第一栅极的第一栅极半导体层、对应所述第一源极的第一源极半导体层、对应所述第一漏极的第一漏极半导体层。

3.根据权利要求2所述的红外探测装置，其特征在于，所述第一栅极和所述第一栅极半导体层之间设置有介质层。

4.根据权利要求2所述的红外探测装置，其特征在于，所述第一半导体层中所述第一栅极半导体层、所述第一源极半导体层、所述第一漏极半导体层的材料分别为P型非晶硅材料、N型非晶硅材料、N型非晶硅材料。

5.根据权利要求2所述的红外探测装置，其特征在于，所述第一半导体层中所述第一栅极半导体层、所述第一源极半导体层、所述第一漏极半导体层的材料分别为N型非晶硅材料、P型非晶硅材料、P型非晶硅材料。

6.根据权利要求1任意所述的红外探测装置，其特征在于，所述第一电极层和所述第一释放保护层之间设置第二半导体层，以形成一单极性晶体管，所述第二半导体层包括对应于所述第一栅极的第一栅极辅助半导体层、对应所述第一源极的第一源极辅助半导体层、对应所述第一漏极的第一漏极辅助半导体层，第二半导体层之上设置有第一电极层和第一半导体层，所述第一电极层中的第一栅极、第一源极、第一漏极位于所述第二半导体层之上、所述第一半导体层之下，所述第一半导体层包括对应于所述第一栅极的第一栅极半导体层、对应所述第一源极的第一源极半导体层、对应所述第一漏极的第一漏极半导体层。

7.根据权利要求6所述的红外探测装置，其特征在于，所述第一栅极和所述第一栅极辅助半导体层之间设置有介质层。

8.根据权利要求6所述的红外探测装置，其特征在于，所述第二半导体层中所述第一栅极辅助半导体层、所述第一源极辅助半导体层、所述第一漏极辅助半导体层的材料与所述第一半导体层中所述第一栅极半导体层、所述第一源极半导体层、所述第一漏极半导体层的材料对应，所述第二半导体层中所述第一栅极辅助半导体层、所述第一源极辅助半导体层、所述第一漏极辅助半导体层的材料分别为P型非晶硅材料、N型非晶硅材料、N型非晶硅材料。

9.根据权利要求6所述的红外探测装置，其特征在于，所述第二半导体层中所述第一栅极辅助半导体层、所述第一源极辅助半导体层、所述第一漏极辅助半导体层的材料与所述第一半导体层中所述第一栅极半导体层、所述第一源极半导体层、所述第一漏极半导体层的材料对应，所述第二半导体层中的所述第一栅极辅助半导体层、所述第一源极辅助半导体层、所述第一漏极辅助半导体层的材料分别为N型非晶硅材料、P型非晶硅材料、P型非晶硅材料。

10.根据权利要求1所述的红外探测装置，其特征在于，在第一释放保护层和第二释放保护层之间的设置一个双极结型晶体管，所述双极结型晶体管包括第一电极层、第二电极层和第一半导体层，所述第一电极层中的第一栅极、第一源极、第一漏极位于所述第一释放保护层之上、所述第一半导体层之下，所述第二电极层中的第二栅极、第二源极、第二漏极位于所述第一半导体层之上、第二释放保护层之下，所述第一半导体层包括对应于所述第一栅极和所述第二栅极的栅极半导体层、所述第一源极和第二源极的源极半导体层、所述第一漏极和第二漏极的漏极半导体层，栅极半导体层设置在第一栅极和所述第二栅极之间，源极半导体层设置在第一源极和第二源级之间，漏极半导体层设置在所述第一漏极和第二漏极之间。

11.根据权利要求10所述的红外探测装置，其特征在于，所述第一栅极和所述栅极半导体层之间、所述第二栅极和所述栅极半导体层之间均设置有介质层。