[发明专利]液晶显示装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201210377390.5 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103034002A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 栗田诚 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本显示器东 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种液晶显示装置及其制造方法。本发明的课题是防止影像信号线的图案化时影像信号线的断线。影像信号线(107)、漏电极(107)及源电极(107)同层同时地形成。影像信号线(107)等由基层(1071)、AlSi层(1072)及覆盖层(1073)这三层形成。以往在AlSi层(1072)中与覆盖层(1073)的边界形成有蚀刻速率较快的合金，导致在影像信号线(107)等的图案化时发生断线。在本发明中，在影像信号线(107)等的形成时，在通过溅镀而形成了AlSi层(1072)后将TFT暴露在大气中，在AlSi层表面形成了Al氧化层后通过溅镀来形成覆盖层(1073)、由此防止在AlSi层上形成蚀刻速率部分地变快的合金，防止影像信号线等的断线。 | ||
| 搜索关键词： | 液晶 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种液晶显示装置，其特征在于，扫描线沿第一方向延伸、沿第二方向排列，影像信号线沿第二方向延伸、沿第一方向排列，在由所述扫描线和所述影像信号线所包围的区域形成有像素，所述像素包括TFT，所述TFT包括半导体层、栅极绝缘膜、栅电极、漏电极以及源电极，所述影像信号线包括基层、AlSi层及覆盖层，在所述AlSi层中，所述AlSi层和所述覆盖层的边界部分的氧的含量为所述AlSi层中央部的氧的含量的50倍以上。
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