[发明专利]液晶显示装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示装置，尤其涉及提供能够防止影像信号线断线的结构的液晶显示装置。

背景技术

在液晶显示装置上设置有：像素电极及薄膜晶体管(TFT)等呈矩阵状地形成的TFT基板；以及与TFT基板相对、且在与TFT基板的像素电极相对应的位置形成有滤色器等的对置基板，在TFT基板和对置基板之间夹持有液晶。而且通过按像素控制基于液晶分子的透光率而形成图像。

由于液晶显示装置是平板型且轻量，因此在从TV等大型显示装置到手机或DSC(Digital Still Camera，数字照相机)等各种领域广泛地应用。此外，液晶显示装置存在根据观察画面的角度的不同，图像也不同这一视场角的问题，但关于该视场角，IPS(In Plane Switching，平面转换)方式的液晶显示装置具有优异的特性。

在液晶显示装置中，影像信号线在第一方向延伸、在第二方向排列，扫描线在第二方向延伸、在第一方向排列。为了抑制线宽并减小电阻，影像信号线使用Al合金。Al合金在光刻工序中的蚀刻或显影工序中易产生缺陷。

IPS方式的液晶显示装置也有很多，其中有以下方式：在同一层(例如栅极绝缘膜)上形成影像信号线或漏电极和由ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)形成的像素电极，在其之上形成层间绝缘膜，在层间绝缘膜之上形成梳齿状的对置电极。在该情况下，存在影像信号线或漏电极由于ITO的显影液而溶解，产生缺陷或断线的问题。

在“专利文献1”中记载有为了防止上述问题而先形成基于ITO的像素电极，之后再形成TFT的漏电极或影像信号线的结构。此外，在“专利文献2”中记载有为了相同的目的，通过使构成像素电极的ITO成为两层结构而使漏电极或影像信号线不被ITO的显影液侵蚀的结构。

专利文献1：日本特愿2010-217062号

专利文献1：日本特开2011-145530号公报

发明内容

在液晶显示装置中，对应各像素地形成有TFT。图13是表示影像信号线107沿纵向延伸、沿横向排列，扫描线105沿横向延伸、沿纵向排列，在由影像信号线107和扫描线105所包围的区域形成有像素的结构的俯视图。在图13中，省略了像素电极。向各像素的影像信号从影像信号线107经由第一通孔115，通过三个TFT，再经由第二通孔116提供给未图示的像素电极。

在图13中，扫描线105兼作TFT的栅电极105。半导体层103从与影像信号线107连接的第一通孔115弯曲，三次通过扫描线105(栅电极)的下方，由此形成三个顶栅式(top gate)的TFT。

影像信号线107相对于TFT成为漏电极107，与影像信号线107在同层形成的金属层成为源电极107。影像信号线、漏电极及源电极是由同一材料同时形成的，因此标注同一符号107。关于影像信号线107，为了减小其电阻而由Al或Al合金形成。这里使用AlSi，Si的含量为1％左右。Al易在半导体层103扩散，且易产生小丘(hillock)。

为了防止Al在半导体层103扩散，在AlSi层的下层形成基于MoW等的基层1071，在AlSi层1072的上层形成基于MoW等的覆盖层1073。在具有如上结构的影像信号线107中，在光刻中的蚀刻程序中，有可能产生如图13所示的影像信号线的断线。

图14是图13的影像信号线107的断线部分的剖视图。在图14中，在TFT基板100之上形成有第一基底膜101、第二基底膜102、栅极绝缘膜104、及层间绝缘膜106，在层间绝缘膜106之上形成有影像信号线107，但在影像信号线107上发生断线70。在影像信号线107之上形成有无机钝化膜108，在无机钝化膜108之上形成有有机钝化膜109，在有机钝化膜109之上形成有上部绝缘膜111，在上部绝缘膜111之上形成有取向膜113。在图14中，无机钝化膜108以不规则的形状堆积在影像信号线107断线的部分。

如果不能修复如上所述的影像信号线107的断线，则该液晶显示装置为不良品。本发明的课题是防止图13或图14所示的三层结构的影像信号线107中的断线。