[发明专利]利用双蚀刻形成切割道的光学偏转器制造方法有效

专利信息
申请号: 201210376372.5 申请日: 2012-09-29
公开(公告)号: CN103033927A 公开(公告)日: 2013-04-10
发明(设计)人: 安田喜昭 申请(专利权)人: 斯坦雷电气株式会社
主分类号: G02B26/08 分类号: G02B26/08;B81C1/00
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供了一种利用双蚀刻形成切割道的光学偏转器制造方法。在晶圆的前表面侧上形成晶圆级光学偏转器组件。然后,通过使用晶圆级光学偏转器组件的元件蚀刻晶圆的前表面侧,以形成前侧切割道。然后,将具有内腔的透明基板粘附到晶圆的前表面侧。然后,在晶圆的后表面侧上形成第二蚀刻掩模。然后,对晶圆的后表面侧进行蚀刻从而创建后侧切割道。然后,将具有环形边缘的粘性片粘附到晶圆的后表面侧。然后,移除透明基板。最终,对环形边缘进行扩展以加宽前侧切割道和后侧切割道,从而从晶圆逐个地拾取光学偏转器。
搜索关键词: 利用 蚀刻 形成 切割 光学 偏转 制造 方法
【主权项】:
一种用于制造光学偏转器的方法,所述方法包括:在晶圆的前表面侧形成晶圆级光学偏转器组件;使用所述晶圆级光学偏转器组件的元件作为第一蚀刻掩模蚀刻所述晶圆的前表面侧,以在所述晶圆的前表面侧中形成前侧切割道;将具有内腔的透明基板暂时地粘附到所述晶圆的前表面侧,使得所述透明基板的内腔与所述晶圆级光学偏转器组件的可移动元件相对;在所述晶圆的后表面侧上形成第二蚀刻掩模;使用所述第二蚀刻掩模蚀刻所述晶圆的后表面侧,使得在所述晶圆的后表面侧中形成后侧切割道和与所述晶圆级光学偏转器组件的可移动元件相对的空腔,所述后侧切割道与所述前侧切割道相对应;在蚀刻所述晶圆的后表面侧之后,将具有环形边缘的粘性片粘附到所述晶圆的后表面侧;在将所述粘性片粘附到所述晶圆的后表面侧之后,从所述晶圆的前表面侧移除所述透明基板;以及在移除了所述透明基板之后,扩展所述环形边缘以加宽所述前侧切割道和所述后侧切割道以从所述晶圆逐个地拾取光学偏转器。
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