[发明专利]利用双蚀刻形成切割道的光学偏转器制造方法

权利要求书

1.一种用于制造光学偏转器的方法，所述方法包括：

在晶圆的前表面侧形成晶圆级光学偏转器组件；

使用所述晶圆级光学偏转器组件的元件作为第一蚀刻掩模蚀刻所述晶圆的前表面侧，以在所述晶圆的前表面侧中形成前侧切割道；

将具有内腔的透明基板暂时地粘附到所述晶圆的前表面侧，使得所述透明基板的内腔与所述晶圆级光学偏转器组件的可移动元件相对；

在所述晶圆的后表面侧上形成第二蚀刻掩模；

使用所述第二蚀刻掩模蚀刻所述晶圆的后表面侧，使得在所述晶圆的后表面侧中形成后侧切割道和与所述晶圆级光学偏转器组件的可移动元件相对的空腔，所述后侧切割道与所述前侧切割道相对应；

在蚀刻所述晶圆的后表面侧之后，将具有环形边缘的粘性片粘附到所述晶圆的后表面侧；

在将所述粘性片粘附到所述晶圆的后表面侧之后，从所述晶圆的前表面侧移除所述透明基板；以及

在移除了所述透明基板之后，扩展所述环形边缘以加宽所述前侧切割道和所述后侧切割道以从所述晶圆逐个地拾取光学偏转器。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述晶圆包括绝缘体上硅晶圆，所述绝缘体上硅晶圆按顺序包括硅器件层、二氧化硅Box层和硅处理层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述前表面侧蚀刻的步骤包括：使用所述二氧化硅Box层作为蚀刻停止层对所述硅器件层进行第一深反应离子蚀刻处理。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述后表面侧蚀刻的步骤包括：使用所述二氧化硅Box层作为蚀刻停止层对所述硅处理层进行第二深反应离子蚀刻处理。

5.根据权利要求2所述的方法，所述方法进一步包括：在蚀刻所述晶圆的后表面侧之后，蚀刻所述二氧化硅Box层的暴露部分。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述透明基板粘附的步骤包括：使用具有脱离性质的粘性元件将所述透明基板粘附到所述晶圆的前表面侧。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，

所述粘性元件包括紫外线胶带，

所述透明基板移除的步骤包括：利用紫外线照射所述紫外线胶带。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，

所述粘性元件包括热固胶带，

所述透明基板移除的步骤包括：对所述热固胶带进行加热。

9.根据权利要求6所述的方法，其中，

所述粘性元件包括抗蚀剂，

所述透明基板移除的步骤包括：将所述抗蚀剂浸入到溶剂中。

10.根据权利要求6所述的方法，其中，

所述粘性元件包括蜡，

所述透明基板移除的步骤包括：将所述蜡浸入到温度为60℃至90℃的热水中。

11.根据权利要求1所述的方法，所述方法进一步包括：

对拾取的所述光学偏转器进行测试处理；以及

仅对所述光学偏转器中已经通过所述测试处理的光学偏转器进行封装。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述透明基板由玻璃和石英中的一种制成。