[发明专利]具有超薄封装的高性能功率晶体管有效
| 申请号： | 201210374536.0 | 申请日： | 2012-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN102983114B | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | J·A·和布搜摩;O·J·洛佩兹;J·A·诺奇尔 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 场效应晶体管封装包含具有第一线性厚度(150a)的引线框架和减小厚度的引线框架垫(151)；场效应晶体管芯片(140)的第一端附接到垫以及第二和第三端远离垫；第二线性厚度(1l0a)的金属板(110)连接第二晶体管端至封装端；第三线性厚度(112a)的金属板(112)连接第三晶体管端至封装端；第一线性厚度(约0.125mm)和第二线性厚度(约0.125mm)的总和加上附接材料(约0.05mm)构成封装厚度(约0.3mm)。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 引线框架 金属板 晶体管 场效应晶体管芯片 场效应晶体管 功率晶体管 超薄封装 第一端 附接 减小 | ||
【主权项】：
一种半导体封装件，包括：具有第一线性厚度的引线框架，该引线框架具有减小厚度的垫，所述减小厚度小于所述第一线性厚度；附接到所述垫的芯片，该芯片具有晶体管，该晶体管具有与所述垫接触的第一端以及远离所述垫的第二端和第三端，其中所述垫被半刻蚀以产生空腔，所述芯片被附接到所述空腔内；以及连接所述第二端至第一封装端的具有第二线性厚度的金属板，以及连接所述第三晶体管端至第二封装端的具有第三线性厚度的金属板；其中所述第一线性厚度和所述第二线性厚度的总和构成封装厚度。
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