[发明专利]具有超薄封装的高性能功率晶体管

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

具有第一线性厚度的引线框架，该引线框架具有减小厚度的垫，所述减小厚度小于所述第一线性厚度；

附接到所述垫的芯片，该芯片具有晶体管，该晶体管具有与所述垫接触的第一端以及远离所述垫的第二端和第三端，其中所述垫被半刻蚀以产生空腔，所述芯片被附接到所述空腔内；以及

连接所述第二端至第一封装端的具有第二线性厚度的金属板，以及连接所述第三晶体管端至第二封装端的具有第三线性厚度的金属板；

其中所述第一线性厚度和所述第二线性厚度的总和构成封装厚度。

2.根据权利要求1所述的封装件，其中所述封装厚度等于或小于0.3mm。

3.根据权利要求2所述的封装件，进一步包括沿所述垫的周缘的至少一部分的边沿，其中边沿和垫的厚度等于所述第一线性厚度。

4.根据权利要求3所述的封装件，进一步包括封装材料，其封罩被附接到所述垫的所述芯片，以致与所述芯片相反的所述垫表面和引线表面保持未封罩。

5.根据权利要求4所述的封装件，进一步具有与所述第二端相反的未封罩的板表面。

6.根据权利要求1所述的封装件，其中所述第三线性厚度比所述第二线性厚度小。

7.根据权利要求6所述的封装件，其中所述封装材料封罩具有所述第三线性厚度的所述板。

8.根据权利要求7所述的封装件，进一步包括与附接的第二晶体管端相反地附接到所述未封罩的板表面的第一热沉。

9.根据权利要求8所述的封装件，进一步包括与所述芯片相反地附接到未封罩垫表面的第二热沉。

10.根据权利要求7所述的封装件，其中所述封装端具有标准QFN占地面积。

11.根据权利要求5所述的封装件，其中所述未封罩的垫表面和板表面是平面的。

12.根据权利要求1所述的封装件，其中所述第一端是漏极，所述第二端是源极，并且所述第三端是栅极。