[发明专利]基于SOI的TSV立体集成互连结构有效
| 申请号： | 201210371907.X | 申请日： | 2012-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102903686A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 单光宝;孙有民;刘松;蔚婷婷;李翔 | 申请（专利权）人： | 中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 顾潮琪 |
| 地址： | 710000*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于SOI的TSV立体集成互连结构，包括阻挡层、侧壁绝缘层和导电填充物，以铜柱为导电填充物，在铜柱外壁依次包覆了阻挡层和侧壁绝缘层，铜柱纵向贯穿了SOI顶层硅、埋氧层和衬底硅，构成TSV通孔，埋氧层上方的TSV通孔直径为W1，埋氧层下方的TSV通孔直径W2，上、下TSV孔同轴，且W1>W2。本发明不仅可以实现基于SOI的工艺器件立体集成，满足辐射加固器件、高压/低漏电器件TSV立体集成的工艺需求，而且降低了“Notching”效应对后续侧壁绝缘工艺的影响，提升击穿电压，增加基于SOI的TSV立体集成器件可靠性，节约芯片面积，降低了开发成本。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 soi tsv 立体 集成 互连 结构 | ||
【主权项】：
一种基于SOI的TSV立体集成互连结构，包括阻挡层、侧壁绝缘层和导电填充物，其特征在于：以铜柱为导电填充物，在铜柱外壁依次包覆了阻挡层和侧壁绝缘层，铜柱纵向贯穿了SOI顶层硅、埋氧层和衬底硅，构成TSV通孔，埋氧层上方的TSV通孔直径为W1，埋氧层下方的TSV通孔直径W2，上、下TSV孔同轴，且W1>W2，W1和W2的差值为3μm~6μm。
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