[发明专利]一种选择性发射极电池片掩膜的制备方法无效
| 申请号： | 201210369826.6 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN102903793A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 卢春晖;黄仑;王金伟;史孟杰;崔梅兰 | 申请（专利权）人： | 东方电气集团（宜兴）迈吉太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人： | 夏平 |
| 地址： | 214203 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种选择性发射极电池片掩膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：(1)将硅片完全浸没在有机硅凝胶溶液中，浸泡时间为5s；(2)取出步骤(1)浸泡过有机硅凝胶溶液的电池片晾干，晾干时间为1~3min；(3)将步骤(2)得到的电池片进行烘烤，烘烤温度50~300℃，烘烤时间为3~8min，即得到电池片掩膜。本发明所用的有机硅凝胶制备二氧化硅掩膜方法缩短了传统的制作周期，制作出的二氧化硅掩膜层结构致密且均匀，阻挡磷扩散效果优于热氧化法制备的二氧化硅层，同时该新制备方法减少了设备及原料的投入成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 选择性 发射极 电池 片掩膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种选择性发射极电池片掩膜的制备方法，其特征在于它包括以下步骤：(1)将硅片完全浸没在有机硅凝胶溶液中，浸泡时间为5s；(2)取出步骤(1)浸泡过有机硅凝胶溶液的电池片晾干，晾干时间为1~3min；(3)将步骤(2)得到的电池片进行烘烤，即得到电池片掩膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东方电气集团（宜兴）迈吉太阳能科技有限公司，未经东方电气集团（宜兴）迈吉太阳能科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210369826.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种预制加工用移动养护窑
- 下一篇：半导体器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
