[发明专利]一种选择性发射极电池片掩膜的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种选择性发射极太阳能电池的掩膜的制作工艺，尤其晶硅电池片制作工艺，具体地说是一种晶硅太阳能选择性发射极电池片掩膜的制备方法。

背景技术

当前选择性发射极电池技术上有多种实现方法，有激光扩散法、印刷磷浆法、硅墨技术、腐蚀扩散掩膜层等方法。其中激光扩散法需要使用到激光或电镀设备，工序复杂，设备稳定性难以控制；印刷磷浆法对磷浆要求高，目前磷浆容易高温挥发，选择性不佳；硅墨技术同样需要增加大量新设备，成本较高。不利于高效选择性发射极电池的产业化。目前采用腐蚀扩散掩膜层制备的选择性发射极电池大多采用二氧化硅掩膜，由于制备二氧化硅掩膜需要增加高温氧化炉，完成后进行选择性去除掩膜，高温氧化炉制备二氧化硅掩膜时间较长，并且对磷扩散效果的阻挡作用有限，影响二次扩散后硅片内高低结的浓度差，造成选择性发射极原理实现不完全。

发明内容

本发明的目的是针对目前选择性发射极电池腐蚀扩散掩膜层法中二氧化硅掩膜的制备方法周期长，阻挡磷扩散的效果差的问题，提出一种选择性发射极电池片二氧化硅膜制作方法。

本发明的目的可以通过以下技术方案实现：

一种选择性发射极电池片掩膜的制备方法，其特征在于它包括以下步骤：

(1)将硅片完全浸没在有机硅凝胶溶液中，浸泡时间为5s；

(2)取出步骤(1)浸泡过有机硅凝胶溶液的电池片晾干，晾干时间为1~3min；

(3)将步骤(2)得到的电池片进行烘烤，即得到电池片掩膜。

步骤(3)的电池片放入烘烤炉中进行烘烤，烘烤温度50~300℃，烘烤时间3~8min。

所述的步骤(3)中电池片的烘烤时间为5min。

步骤(1)前还对硅片进行预处理，所述的预处理即对硅片表面进行常规清洗和表面组织结构的处理。

所述的电池片掩膜为二氧化硅掩膜。

所述的二氧化硅掩膜的厚度为0.1um~10um。

本发明的有益效果：本发明所用的有机硅凝胶制备二氧化硅掩膜方法缩短了传统的制作周期，制作出的二氧化硅掩膜层结构致密且均匀，阻挡磷扩散效果优于热氧化法制备的二氧化硅层，同时该新制备方法减少了设备及原料的投入成本。

附图说明

图1为本发明选择性发射极电池片的二氧化硅掩膜示意图。

图中：1、硅片，2、二氧化硅膜。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的说明。

如图1所示。硅片表面形成二氧化硅膜。

实施例1

一种选择性发射极电池片掩膜的制备方法，其特征在于它包括以下步骤：(1)对硅片表面进行常规清洗和表面组织结构的处理，处理结束后将硅片完全浸没在有机硅凝胶溶液中，浸泡时间为5s；(2)取出步骤(1)浸泡过有机硅凝胶溶液的电池片晾干，晾干时间为3min；(3)将步骤(2)得到的电池片进行烘烤，在50℃条件下烘烤8min，即得到二氧化硅掩膜。使用本发明方法制得的二氧化硅掩膜厚度为2um。

实施例2

一种选择性发射极电池片掩膜的制备方法，其特征在于它包括以下步骤：(1)对硅片表面进行常规清洗和表面组织结构的处理，处理结束后将硅片完全浸没在有机硅凝胶溶液中，浸泡时间为5s；(2)取出步骤(1)浸泡过有机硅凝胶溶液的电池片晾干，晾干时间为2min；(3)将步骤(2)得到的电池片进行烘烤，在100℃条件下烘烤6min，即得到二氧化硅掩膜。使用本发明方法制得的二氧化硅掩膜厚度为10um。

实施例3

一种选择性发射极电池片掩膜的制备方法，其特征在于它包括以下步骤：(1)对硅片表面进行常规清洗和表面组织结构的处理，处理结束后将硅片完全浸没在有机硅凝胶溶液中，浸泡时间为5s；(2)取出步骤(1)浸泡过有机硅凝胶溶液的电池片晾干，晾干时间为1.5min；(3)将步骤(2)得到的电池片进行烘烤，在290℃条件下烘烤3min，即得到二氧化硅掩膜。使用本发明方法制得的二氧化硅掩膜厚度为6.3um。