[发明专利]一种制备硅膜的方法在审
| 申请号： | 201210368330.7 | 申请日： | 2012-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103693612A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 荆二荣;周国平;夏长奉 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧霁晨;王忠忠 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅膜的制备方法，该方法包括下述步骤：在硅片的正反两面分别淀积钝化层的钝化层形成步骤；在正面钝化层上淀积多晶硅作为外延的种子层的种子层形成步骤；在上述种子层上外延生长多晶硅以形成外延层的外延层形成步骤；以及在背面钝化层上形成腐蚀窗口并且利用腐蚀液对硅片背面通过所述腐蚀窗口开始腐蚀直到停止在上述正面钝化层的腐蚀步骤。利用本发明能够制备片内均匀性一致、可精确控制厚度的硅膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种制备硅膜的方法，其特征在于，包括下述步骤：在硅片的正反两面分别淀积钝化层形成正面钝化层、背面钝化层的钝化层形成步骤；在所述正面钝化层上淀积多晶硅作为外延生长的种子层的种子层形成步骤；在所述种子层上外延生长多晶硅以形成外延层的外延层形成步骤；以及在所述背面钝化层形成腐蚀窗口并且利用腐蚀液对硅片背面通过所述腐蚀窗口开始进行腐蚀直到停止在所述正面钝化层的腐蚀步骤。
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