[发明专利]一种制备硅膜的方法在审
| 申请号： | 201210368330.7 | 申请日： | 2012-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103693612A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 荆二荣;周国平;夏长奉 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧霁晨;王忠忠 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 方法 | ||
1.一种制备硅膜的方法，其特征在于，包括下述步骤：
在硅片的正反两面分别淀积钝化层形成正面钝化层、背面钝化层的钝化层形成步骤；
在所述正面钝化层上淀积多晶硅作为外延生长的种子层的种子层形成步骤；
在所述种子层上外延生长多晶硅以形成外延层的外延层形成步骤；以及
在所述背面钝化层形成腐蚀窗口并且利用腐蚀液对硅片背面通过所述腐蚀窗口开始进行腐蚀直到停止在所述正面钝化层的腐蚀步骤。
2.如权利要求1所述的制备硅膜的方法，其特征在于，
所述正面钝化层作为腐蚀的自停止层，所述背面钝化层作为腐蚀的掩膜层。
3.如权利要求2所述的制备硅膜的方法，其特征在于，
所述钝化层由SiO2或者Si3N4构成。
4.如权利要求1所述的制备硅膜的方法，其特征在于，
在所述外延层形成步骤中，作为外延气体采用SiCl4、SiH4、SH2Cl2、SiHCl3中的任意一种。
5.如权利要求2所述的制备硅膜的方法，其特征在于，
在所述腐蚀步骤中，作为腐蚀液采用KOH或者TMAH。
6.如权利要求1所述的制备硅膜的方法，其特征在于，
在所述种子层形成步骤中，所述多晶硅的淀积厚度为50nm～1000nm。
7.如权利要求1所述的制备硅膜的方法，其特征在于，
在所述外延层形成步骤中，将外延生长多晶硅的厚度设定为所需要的硅膜的厚度。
8.如权利要求2所述的制备硅膜的方法，其特征在于，
在所述钝化层形成步骤中，所述各钝化层的淀积厚度为500～2000nm。
9.如权利要求1所述的制备硅膜的方法，其特征在于，
在所述种子层形成步骤中，通过LPCVD淀积多晶硅。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华半导体有限公司，未经无锡华润上华半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210368330.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种LED光伏照明系统
- 下一篇：试验台上设置负载液压缸总成的测试装置
