[发明专利]一种反向诱导凝固提纯多晶硅的方法及设备

摘要

本发明属于冶金提纯技术领域，特别涉及一种反向诱导提纯多晶硅的方法，另外还涉及其设备。该方法采用感应线圈将硅料加热熔化形成硅熔体，调小感应线圈的功率，水冷旋转杆向下拉锭，使硅熔体由底部向顶部凝固，凝固到80%~90%时，开启落粉装置，使高纯硅粉散落到上层硅熔体中，高纯硅粉作为形核剂使上层硅熔体迅速反向凝固，待凝固完成后切去上层反向凝固得到的部分，得到的下层铸锭即为高纯硅铸锭。本发明的显著效果是在凝固尾声阶段，利用落料装置将硅粉均匀散落到硅熔体表面，硅粉作为形核剂使杂质含量较高的上层硅熔体迅速凝固，有效抑制了上层硅熔体中含量较高的杂质在保温过程中向已凝固的低浓度区域扩散，起到了反向诱导凝固提纯多晶硅的目的。

主权项

一种反向诱导凝固提纯多晶硅的方法，其特征是：首先将石英坩埚（5）中的硅料加热至1450~1550℃使之熔化形成硅熔体，之后启动水冷旋转杆（13）向下运动进行拉锭，使硅熔体由石英坩埚（5）底部向顶部进行凝固，当凝固达到80%~90%时，通过水冷旋转杆（13）旋转石英坩埚（5），同时开启落粉装置（2）使高纯硅粉散落到杂质含量较高的上层硅熔体中，高纯硅粉作为形核剂使上层硅熔体迅速反向凝固，待凝固完成后切去上层反向凝固得到的部分，得到的下层铸锭即为高纯硅铸锭。