[发明专利]一种在碳化硅表面形成牺牲氧化层的方法无效
| 申请号： | 201210355934.8 | 申请日： | 2012-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN102915912A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 李理;陈刚;陈征;柏松 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水;周晓梅 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是一种在碳化硅表面形成牺牲氧化层的方法，包括以下步骤：1）使用酸性溶液清洗SiC晶片；2）使用5%-30%体积比浓度的氢氟酸溶液清洗SiC晶片；3）将SiC晶片放入氧化炉，充入惰性气体和氧气的混合气作为保护气体，将氧化炉升温到氧化温度；4）向氧化炉内充入氧气，保持温度进行热氧化；5）向氧化炉内充入惰性气体，将SiC晶片由氧化温度降温到室温。本发明的有益效果：采用惰性气体和氧气的混合气作为保护气体，氧化层的厚度均匀性好。氧化速率提高，能够缩短工艺时间。形成的氧化层表面平整度较好，能够提高器件的可靠性和成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 表面 形成 牺牲 氧化 方法 | ||
【主权项】：
一种在碳化硅表面形成牺牲氧化层的方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：1）使用酸性溶液清洗SiC晶片； 2）使用5%‑30%体积比浓度的氢氟酸溶液清洗SiC晶片；3）将SiC晶片放入氧化炉，充入惰性气体和氧气的混合气作为保护气体，将氧化炉升温到氧化温度； 4）向氧化炉内充入氧气，保持温度进行热氧化；5）向氧化炉内充入惰性气体，将SiC晶片由氧化温度降温到室温。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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