[发明专利]一种在碳化硅表面形成牺牲氧化层的方法无效
| 申请号： | 201210355934.8 | 申请日： | 2012-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN102915912A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 李理;陈刚;陈征;柏松 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水;周晓梅 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 表面 形成 牺牲 氧化 方法 | ||
1.一种在碳化硅表面形成牺牲氧化层的方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：
1）使用酸性溶液清洗SiC晶片；
2）使用5%-30%体积比浓度的氢氟酸溶液清洗SiC晶片；
3）将SiC晶片放入氧化炉，充入惰性气体和氧气的混合气作为保护气体，将氧化炉升温到氧化温度；
4）向氧化炉内充入氧气，保持温度进行热氧化；
5）向氧化炉内充入惰性气体，将SiC晶片由氧化温度降温到室温。
2.根据权利要求1所述的一种在碳化硅表面形成牺牲氧化层的方法，其特征是所述的酸性溶液包括硫酸，盐酸，硝酸及其混合溶液。
3.根据权利要求1所述的一种在碳化硅表面形成牺牲氧化层的方法，其特征是所述的惰性气体包括氩气和氮气。
4.据权利要求1所述的一种在碳化硅表面形成牺牲氧化层的方法，其特征是作为保护气体的惰性气体和氧气气体的流量比为10-2：1。
5.据权利要求1所述的一种在碳化硅表面形成牺牲氧化层的方法，其特征是所述的惰性气体的流量是0.1升/分钟-20升/分钟。
6.据权利要求1所述的一种在碳化硅表面形成牺牲氧化层的方法，其特征是氧气的流量是0.1升/分钟-10升/分钟。
7.权利要求1所述的一种在碳化硅表面形成牺牲氧化层的方法，其特征是热氧化的方式包括干氧氧化和湿氧氧化；氧化温度是1000-1400℃。
8.权利要求1所述的一种在碳化硅表面形成牺牲氧化层的方法，其特征是升温和氧化过程中气压范围是0.5-1bar。
9.权利要求1所述的一种在碳化硅表面形成牺牲氧化层的方法，其特征是SiC晶片的类型包括6H-SiC，4H-SiC。
10.根据权利要求1所述的一种用于制造碳化硅器件的高温退火方法，其特征是SiC晶片的类型包括在碳化硅衬底上生长了一层或多层碳化硅薄膜的外延片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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