[发明专利]一种不含金属离子的高纯硅溶胶的制备方法无效
申请号: | 201210354108.1 | 申请日: | 2012-09-21 |
公开(公告)号: | CN102838124A | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
发明(设计)人: | 申星梅;李辽沙;罗涛;武杏荣;高志芳;吕辉鸿 | 申请(专利权)人: | 安徽工业大学 |
主分类号: | C01B33/141 | 分类号: | C01B33/141 |
代理公司: | 马鞍山市金桥专利代理有限公司 34111 | 代理人: | 鲁延生 |
地址: | 243000 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开一种不含金属离子的高纯硅溶胶的制备方法,属于化工材料制备技术领域。该方法如下:将氧化钙和二氧化硅粉体放入石墨坩埚中,升温到1550~1600℃后保温40min得到氧化钙和二氧化硅的反应产物,将得到的反应产物进行水淬处理得到水淬硅酸钙,然后进行干燥、粉碎、过筛后取筛下物得到水淬硅酸钙粉体,将一定浓度的硫酸溶液在搅拌的条件下缓缓加水淬硅酸钙粉体中,待反应完成后抽滤,分离得到的无色透明滤液即为不含金属离子的高纯硅溶胶。本发明方法制备的高纯硅溶胶,不仅产品中不含金属离子,杂质含量很少,而且相较单质硅溶解法制备不含金属离子硅溶胶反应速度慢的缺点,本方法反应速度快,工艺过程简单。 | ||
搜索关键词: | 一种 金属 离子 高纯 硅溶胶 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种不含金属离子的高纯硅溶胶的制备方法,其特征在于所述制备方法具体步骤如下: (1)、称取氧化钙和二氧化硅粉体放入石墨坩埚中,所述氧化钙与二氧化硅的质量比为 1:(1.0~1.2),以3~5 ℃/min的升温速率升温到1550~1600℃,然后保温40 min得到氧化钙和二氧化硅的反应产物;(2)、对所述步骤(1)得到的反应产物进行水淬处理,得到水淬硅酸钙;(3)、将所述步骤(2)得到的水淬硅酸钙进行干燥、粉碎、过筛后取筛下物得到水淬硅酸钙粉体;(4)、配制一定浓度的硫酸溶液,在搅拌的条件下缓缓加入所述步骤(3)得到的水淬硅酸钙粉体,所述水淬硅酸钙与硫酸的质量比为1:(1.1~1.3),反应完成后抽滤,分离得到的无色透明滤液,即为不含金属离子的高纯硅溶胶。
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