[发明专利]炉管挡片结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210352952.0 | 申请日： | 2012-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN102856175A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 任川;王智;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种炉管挡片结构及其制造方法。炉管挡片结构包括：硅衬底基片、布置在所述硅衬底基片上的氮化硅层、布置在所述氮化硅层上的二氧化硅层。在硅衬底基片上形成氮化硅层以形成硅-氮化硅结构；并且在第一步骤得到的硅-氮化硅结构上形成二氧化硅层，以得到形成硅-氮化硅-二氧化硅结构。根据本发明的具有特殊结构的炉管挡片消除挡片对生产片膜厚造成的影响，使产品片上得到的薄膜有良好的片与片之间的均匀性，同时不影响挡片正常的使用、回收。根据本发明的炉管挡片，其结构特点是在硅-氮化硅的结构上再覆盖二氧化硅，使炉管挡片与产品片表面的材料一致，消除淀积过程中的淀积速率差异，使产品片得到更好的片间均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 炉管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种炉管挡片结构，其特征在于包括：硅衬底基片、布置在所述硅衬底基片上的氮化硅层、布置在所述氮化硅层上的二氧化硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
