[发明专利]炉管挡片结构及其制造方法

权利要求书

1.一种炉管挡片结构，其特征在于包括：硅衬底基片、布置在所述硅衬底基片上的氮化硅层、布置在所述氮化硅层上的二氧化硅层。

2.根据权利要求1所述的炉管挡片结构，其特征在于，所述炉管挡片结构用于多晶硅淀积工艺。

3.根据权利要求1或2所述的炉管挡片结构，其特征在于，所述氮化硅薄层2的厚度介于50-200纳米之间。

4.根据权利要求1或2所述的炉管挡片结构，其特征在于，所述二氧化硅层3的厚度介于10-50纳米之间。

5.一种炉管挡片结构制造方法，其特征在于包括：

第一步骤：在硅衬底基片上形成氮化硅层以形成硅-氮化硅结构；

第二步骤：在第一步骤得到的硅-氮化硅结构上形成二氧化硅层，以得到形成硅-氮化硅-二氧化硅结构。

6.根据权利要求5所述的炉管挡片结构制造方法，其特征在于，在第一步骤中，将硅衬底基片放入淀积氮化硅的炉管中，淀积覆盖一层50到200纳米的氮化硅层，以形成硅-氮化硅结构。

7.根据权利要求5或6所述的炉管挡片结构制造方法，其特征在于，在第二步骤中，将第一步骤得到的硅-氮化硅结构放入淀积二氧化硅的炉管中，淀积覆盖一层10到50纳米的二氧化硅层，以形成硅-氮化硅-二氧化硅结构。

8.根据权利要求5或6所述的炉管挡片结构制造方法，其特征在于，在第一步骤中，将硅衬底基片首先放在低压化学气相淀积炉管中，在反应温度为650-780摄氏度、反应压力为0.1-0.2Torr、反应气体为二氯硅烷和氨气的条件下反应，从而淀积氮化硅薄层，淀积厚度在50-200纳米之间。

9.根据权利要求5或6所述的炉管挡片结构制造方法，其特征在于，在第二步骤中，将硅-氮化硅结构放入低压化学气相淀积炉管中，在反应温度为750-800摄氏度、反应压力为0.3-0.5Torr、反应气体为二氯硅烷和一氧化二氮的条件下，反应生成二氧化硅层。

10.根据权利要求5或6所述的炉管挡片结构制造方法，其特征在于，在第二步骤中，将硅-氮化硅结构放入低压化学气相淀积炉管中，在反应温度为650-700摄氏度、反应压力0.3-0.4Torr、反应气体为正硅酸乙酯的条件下，反应生成二氧化硅层。