[发明专利]存储器及其读取电路有效
| 申请号： | 201210352896.0 | 申请日： | 2012-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN102855931A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 杨光军;胡剑 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/26;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种存储器及其读取电路，所述读取电路包括：电流镜单元，包括栅极相连的第一PMOS管和第二PMOS管；基准电压产生单元，用于输出基准电压，包括第三PMOS管和参考电流源，所述第三PMOS管的栅极与漏极连接并接地，源极为基准电压输出端，所述参考电流源一端与电源电压连接，另一端与所述第三PMOS管的源极连接；运放单元，包括第一输入端、第二输入端和比较输出端，所述第一输入端与所述基准电压输出端连接，所述第二输入端与所述位线节点连接，所述比较输出端与所述第一PMOS管和第二PMOS管的栅极连接；传输门译码单元，包括NMOS管组和PMOS管组。本发明读取电路提高了存储器在低电源电压下的读取速度和精度。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 读取 电路 | ||
【主权项】：
一种存储器的读取电路，包括：电流镜单元，包括栅极相连的第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一PMOS管和第二PMOS管的源极连接电源电压，所述第一PMOS管的漏极连接位线节点，所述第二PMOS管的漏极连接数据节点；其特征在于，还包括：基准电压产生单元，用于输出基准电压，包括第三PMOS管和参考电流源，所述第三PMOS管的栅极与漏极连接并接地，源极为基准电压输出端，所述参考电流源一端与电源电压连接，另一端与所述第三PMOS管的源极连接；运放单元，包括第一输入端、第二输入端和比较输出端，所述第一输入端与所述基准电压输出端连接，所述第二输入端与所述位线节点连接，所述比较输出端与所述第一PMOS管和第二PMOS管的栅极连接；传输门译码单元，包括NMOS管组和PMOS管组，所述NMOS组由预定数量的NMOS管串联构成，所述PMOS管组由所述预定数量的PMOS管串联构成，所述NMOS管组的第一端和所述PMOS管组的第一端与所述位线节点连接，所述NMOS管组的第二端和所述PMOS管组的第二端与存储单元连接，每个NMOS管的栅极分别连接控制信号，每个PMOS管的栅极分别连接对应的控制信号的反相信号。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210352896.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
