[发明专利]存储器及其读取电路

权利要求书

1.一种存储器的读取电路，包括：

电流镜单元，包括栅极相连的第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一PMOS管和第二PMOS管的源极连接电源电压，所述第一PMOS管的漏极连接位线节点，所述第二PMOS管的漏极连接数据节点；

其特征在于，还包括：

基准电压产生单元，用于输出基准电压，包括第三PMOS管和参考电流源，所述第三PMOS管的栅极与漏极连接并接地，源极为基准电压输出端，所述参考电流源一端与电源电压连接，另一端与所述第三PMOS管的源极连接；

运放单元，包括第一输入端、第二输入端和比较输出端，所述第一输入端与所述基准电压输出端连接，所述第二输入端与所述位线节点连接，所述比较输出端与所述第一PMOS管和第二PMOS管的栅极连接；

传输门译码单元，包括NMOS管组和PMOS管组，所述NMOS组由预定数量的NMOS管串联构成，所述PMOS管组由所述预定数量的PMOS管串联构成，所述NMOS管组的第一端和所述PMOS管组的第一端与所述位线节点连接，所述NMOS管组的第二端和所述PMOS管组的第二端与存储单元连接，每个NMOS管的栅极分别连接控制信号，每个PMOS管的栅极分别连接对应的控制信号的反相信号。

2.如权利要求1所述的读取电路，其特征在于，所述基准电压由读取存储单元电流所需的位线电压决定。

3.如权利要求1所述的读取电路，其特征在于，所述参考电流源输出的参考电流的取值范围为1μA至10μA。

4.如权利要求1所述的读取电路，其特征在于，所述第三PMOS管的衬底接第一电压。

5.如权利要求4所述的读取电路，其特征在于，所述第一电压的取值范围为0.8V至1V。

6.如权利要求1所述的读取电路，其特征在于，所述PMOS管组中的PMOS管的衬底接第二电压，所述第二电压小于所述第一电压。

7.如权利要求6所述的读取电路，所述第二电压的取值范围为0.8V至1V。

8.一种存储器，其特征在于，包括存储单元和权利要求1至7任一项所述的读取电路。

9.如权利要求8所述的存储器，其特征在于，所述存储器为非易失性存储器。