[发明专利]利用种子层电化学制备热电薄膜的方法无效
| 申请号： | 201210351706.3 | 申请日： | 2012-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN102867906A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 胡志宇;严晓霞;曹毅;刘艳玲;沈超;张向鹏 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L35/34 | 分类号： | H01L35/34 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于电化学制备热电材料领域，涉及利用种子层电化学制备热电薄膜的方法。具体为先利用分子束外延、磁控溅射等方式在衬底上制备具有纳米量级厚度的种子层，然后用电化学方法生长热电薄膜材料，膜厚可达微米级别。通过这种方法可以控制外延薄膜的生长取向，制备出具有明显柱状结构取向的热电薄膜，从而提高电化学生长薄膜的热电性能。结合电化学自身低成本，生长方便的特点，为将来组装热电器件提供材料制备基础。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 种子 电化学 制备 热电 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
利用种子层电化学制备热电薄膜的方法，其特征在于，利用硅片、铝片、玻璃片或者不锈钢片作为基片，在沉积前硅片用RCA湿式化学清洗工艺方法进行清洗；玻璃片分别用清洁剂、丙酮和无水乙醇超声清洗；用分子束外延或者磁控溅射沉积一层纳米级别厚度为10~200nm的种子层，再用电化学在种子层上进行恒电势沉积；电化学沉积用铂网作为阳极，硅片或者玻璃片作为阴极；沉积过程采用恒电势沉积，电位范围为‑0.05 v~‑5 v，沉积温度在10~50℃，沉积完以后将样品进行热退火处理以提高结晶度，退火温度为100℃~500℃。
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