[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201210351667.7 | 申请日： | 2012-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN103681846B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及其制造方法。根据本公开的一个实施例的半导体装置，可以包括衬底，所述衬底的表面上形成有至少一个鳍片，所述鳍片具有半导体层；以及第一间隔物，其形成在所述至少一个鳍片的侧壁的下侧部分上，所述第一间隔物的厚度小于所述至少一个鳍片中半导体层的高度；其中所述第一间隔物由第一应力类型的材料形成。在另一实施例中，所述半导体装置还可以包括覆盖所述第一间隔物的至少一部分的绝缘层；以及在所述绝缘层之上的第二间隔物，所述第二间隔物由第二应力类型的第二应力材料形成，所述第二应力类型在性质上与所述第一应力类型相反。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：衬底，所述衬底的表面上形成有至少一个鳍片，所述鳍片具有半导体层；以及第一间隔物，其形成在所述至少一个鳍片的侧壁的下侧部分上，所述第一间隔物的厚度小于所述至少一个鳍片中半导体层的高度；其中所述第一间隔物由第一应力类型的材料形成；形成在所述表面之上的绝缘层，所述绝缘层覆盖所述第一间隔物的至少一部分；以及第二间隔物，其形成在所述至少一个鳍片的侧壁的至少一部分上，并且在所述绝缘层之上以及如果存在未被所述绝缘层覆盖的所述第一间隔物的话还在该未被所述绝缘层覆盖的所述第一间隔物之上；其中，所述第二间隔物由第二应力类型的第二应力材料形成，所述第二应力类型在性质上与所述第一应力类型相反。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210351667.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
