[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底的表面上形成有至少一个鳍片，所述鳍片具有半导体层；以及

第一间隔物，其形成在所述至少一个鳍片的侧壁的下侧部分上，所述第一间隔物的厚度小于所述至少一个鳍片中半导体层的高度；

其中所述第一间隔物由第一应力类型的材料形成。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：

形成在所述表面之上的绝缘层，所述绝缘层覆盖所述第一间隔物的至少一部分；以及

第二间隔物，其形成在所述至少一个鳍片的侧壁的至少一部分上，并且在所述绝缘层之上以及如果存在未被所述绝缘层覆盖的所述第一间隔物的话还在该未被所述绝缘层覆盖的所述第一间隔物之上；

其中，所述第二间隔物由第二应力类型的第二应力材料形成，所述第二应力类型在性质上与所述第一应力类型相反。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中所述至少一个鳍片包括用于形成P型器件的第一鳍片和用于形成N型器件的第二鳍片，并且

其中对于所述第一鳍片的第一间隔物由张应力材料形成，对于所述第二鳍片的第一间隔物由压应力材料形成。

4.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，其中所述至少一个鳍片包括用于形成P型器件的第一鳍片和用于形成N型器件的第二鳍片，并且

其中对于所述第一鳍片的第一间隔物由张应力材料形成，而对于所述第一鳍片的第二间隔物由压应力材料形成；对于所述第二鳍片的第一间隔物由压应力材料形成，而对于所述第二鳍片的第二间隔物由张应力材料形成。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：

栅极，其形成在所述表面之上，所述栅极包覆所述至少一个鳍片的半导体层的至少一部分。

6.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，还包括：

栅极，其形成在所述绝缘层之上以及如果存在未被所述绝缘层覆盖的所述第一间隔物的话还在该未被所述绝缘层覆盖的所述第一间隔物之上，所述栅极包覆所述至少一个鳍片的半导体层的至少一部分。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中所述至少一个鳍片包括在所述半导体层之上的硬掩模层。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述衬底还包括：

紧接在所述至少一个鳍片下方的半导体层。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：

在所述第一间隔物与所述鳍片和/或在所述第一间隔物和所述衬底的所述表面之间的中间层。

10.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，还包括：

在所述第二间隔物与所述鳍片之间的中间层。

11.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底的表面上形成有至少一个鳍片，所述鳍片包括半导体层；以及

在所述至少一个鳍片的侧壁的下侧部分上形成第一间隔物，所述第一间隔物的厚度小于所述至少一个鳍片中半导体层的高度；

其中所述第一间隔物由第一应力类型的第一应力材料形成。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述表面之上形成绝缘层，所述绝缘层覆盖所述第一间隔物的至少一部分；以及

形成第二间隔物，使得所述第二间隔物形成在所述至少一个鳍片的侧壁的至少一部分上，并且在所述绝缘层之上以及如果存在未被所述绝缘层覆盖的所述第一间隔物的话还在该未被所述绝缘层覆盖的所述第一间隔物之上；

其中，所述第二间隔物由第二应力类型的第二应力材料形成，所述第二类型的应力在性质上与所述第一类型的应力相反。

13.如权利要求11所述的方法，其特征在于，其中所述至少一个鳍片包括用于形成P型器件的第一鳍片和用于形成N型器件的第二鳍片，并且

其中对于所述第一鳍片的第一间隔物由张应力材料形成，对于所述第二鳍片的第一间隔物由压应力材料形成。