[发明专利]一种多晶硅还原生产工艺及装置有效
| 申请号： | 201210348552.2 | 申请日： | 2012-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN102874814A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 陈喜清;银波;潘小龙;陈朝霞;张伟;刘桂林 | 申请（专利权）人： | 特变电工新疆硅业有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03 |
| 代理公司： | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人： | 夏晏平 |
| 地址： | 830011 新疆维吾尔自治*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅还原生产工艺，包括步骤：a1、将液态三氯氢硅通过三氯氢硅汽化器汽化得到气态三氯氢硅；a2、与步骤a1同时，将氢气预热得到热氢气；a3、将气态三氯氢硅和热氢气按照氢过量的配比通过静态混合器混合均匀，形成原料混合气；a4、将原料混合气体通过恒温换热器升温并达到恒温状态；a5、将恒温后的混合气送入还原炉。本发明工艺流程能耗低、多晶硅沉积速度高、三氯氢硅一次转化率高。本发明同时公开了一种多晶硅还原生产装置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 还原 生产工艺 装置 | ||
【主权项】：
一种多晶硅还原生产工艺，包括步骤：a1、将液态三氯氢硅通过三氯氢硅汽化器汽化得到气态三氯氢硅；a2、与步骤a1同时，将氢气预热得到热氢气；a3、将气态三氯氢硅和热氢气按照氢过量的配比通过静态混合器混合均匀，形成原料混合气；a4、将原料混合气体通过恒温换热器升温并达到恒温状态；a5、将恒温后的混合气送入还原炉。
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