[发明专利]一种多晶硅还原生产工艺及装置

权利要求书

1.一种多晶硅还原生产工艺，包括步骤：

a1、将液态三氯氢硅通过三氯氢硅汽化器汽化得到气态三氯氢硅；

a2、与步骤a1同时，将氢气预热得到热氢气；

a3、将气态三氯氢硅和热氢气按照氢过量的配比通过静态混合器混合均匀，形成原料混合气；

a4、将原料混合气体通过恒温换热器升温并达到恒温状态；

a5、将恒温后的混合气送入还原炉。

2.如权利要求1所述的多晶硅还原生产工艺，其特征在于，还包括步骤：

a6、还原炉反应后的还原尾气对步骤a1中三氯氢硅汽化器中的液态三氯氢硅加热；

a7、从三氯氢硅汽化器排出的还原尾气对步骤a2中氢气预热器中的氢气预热。

3.如权利要求2所述的多晶硅还原生产工艺，其特征在于，步骤a1中，对三氯氢硅汽化器加热的蒸汽和还原尾气，各自独立为三氯氢硅汽化器提供热量，夹套中通蒸汽，管程走还原炉尾气。

4.如权利要求3所述的多晶硅还原生产工艺，其特征在于，气态三氯氢硅压力为0.7-0.8MPa。

5.如权利要求3所述的多晶硅还原生产工艺，其特征在于，步骤a2中，三氯氢硅汽化器夹套所用蒸汽为0.5-0.8MPa饱和蒸汽。

6.如权利要求2所述的多晶硅还原生产工艺，其特征在于，步骤a3中，热氢气和气态三氯氢硅的配比（摩尔比）为2:1-6:1。

7.如权利要求2所述的多晶硅还原生产工艺，其特征在于，步骤a4中，恒温换热器所用热源为155℃还原炉筒冷却水回水或155℃、0.5MPa蒸汽中的任一种，控制原料混合气加热到温度150℃左右。

8.一种多晶硅还原生产装置，其特征在于，包括三氯氢硅汽化器、氢气预热器、静态混合器、恒温换热器和还原炉，所述三氯氢硅汽化器的气态三氯氢硅出口与所述氢气预热器的热氢气出口分别连接到静态混合器，静态混合器的混合气体出口与还原炉之间的管路上设有所述恒温换热器。

9.如权利要求8所述的多晶硅还原生产装置，其特征在于，所述还原炉的尾气出口与所述三氯氢硅汽化器的管程入口连通，还原尾气作为三氯氢硅汽化器的热源。

10.如权利要求9所述的多晶硅还原生产装置，其特征在于，所述三氯氢硅汽化器的管程出口连接到所述氢气预热器，还原尾气作为氢气预热器的热源。